[发明专利]一种提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法在审
| 申请号： | 201811567532.8 | 申请日： | 2018-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN109371378A | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 唐秀凤;马定邦;李彬锋;黄俏颖;杨嘉碧;罗坚义 | 申请（专利权）人： | 五邑大学 |
| 主分类号： | C23C14/54 | 分类号： | C23C14/54;C23C14/35;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 卢娟 |
| 地址： | 529000 广东省江门市蓬江*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透明导电氧化物薄膜 功函数 基底 薄膜 加热 薄膜沉积过程 薄膜制备过程 物理气相沉积 调制幅度 二次结晶 基底加热 | ||
1.一种提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，在物理气相沉积法制备透明导电氧化物薄膜的过程中，对基底进行加热，加热温度为所述透明导电氧化物薄膜的二次结晶温度。
2.根据权利要求1所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，在物理气相沉积法制备透明导电氧化物薄膜的过程中，材料源与基底之间的距离选用设备能够实现的最大值。
3.根据权利要求1所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，所述物理气相沉积法采用磁控溅射法、热蒸发法或电子束蒸发法。
4.根据权利要求3所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，采用磁控溅射法制备透明导电氧化物薄膜，包括以下步骤：
S1：对基底进行清洗、烘干；
S2：将烘干后的基底放入磁控溅射腔室，抽真空，靶材与基底之间的距离设为磁控溅射腔室内能够实现的最大值；
S3：通入氩气，开启偏压电源，对基底进行预清洗；
S4：关闭偏压电源，对基底进行加热，加热温度为透明导电氧化物薄膜的二次结晶温度；
S5：利用射频电源溅射靶材，溅射出的靶原子或分子在基底上沉积形成薄膜；
S6：停止通入氩气，停止基底加热，使沉积在基底上的薄膜在真空中冷却，从而制得透明导电氧化物薄膜。
5.根据权利要求4所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，步骤S1中，依次使用丙酮、乙醇、去离子水对基底进行超声清洗。
6.根据权利要求4所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，步骤S2中，靶材与基底之间的距离为11～13cm。
7.根据权利要求6所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，步骤S3中，通入氩气的流量为30～35sccm；步骤S4中，通入氩气的流量为0sccm；步骤S5中，通入氩气的流量为15～20sccm。
8.根据权利要求7所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，步骤S4中，对基底进行加热的升温速率为50～60℃/min。
9.根据权利要求8所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜为ITO薄膜，其二次结晶温度为300℃。
10.根据权利要求8所述的提高透明导电氧化物薄膜功函数的方法，其特征在于，所述透明导电氧化物薄膜为SnO2薄膜，其二次结晶温度为200℃。
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