[发明专利]一种半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

Si衬底(001)；

Ge层(002)，设置于所述Si衬底(001)上；

光源GeSn层(0031)、光源p+掺杂Ge层(0041)、光源p+掺杂Si层(0051)、光源保护层(0061)，所述光源GeSn层(0031)、所述光源p+掺杂Ge层(0041)、所述光源p+掺杂Si层(0051)、所述光源保护层(0061)由下至上依次层叠设置于所述Ge层(002)上；

波导GeSn层(0032)，设置于所述Ge层(002)上；

探测器GeSn层(0033)、探测器p+掺杂Ge层(0042)、探测器p+掺杂Si层(0052)、探测器保护层(0062)，所述探测器GeSn层(0033)、所述探测器p+掺杂Ge层(0042)、所述探测器p+掺杂Si层(0052)、所述探测器保护层(0062)由下至上依次层叠设置于所述Ge层(002)上；

第一氧化层(0071)和第二氧化层(0072)，均设置于所述Ge层(002)上，其中，所述第一氧化层(0071)设置于所述光源GeSn层(0031)与所述波导GeSn层(0032)之间，所述第二氧化层(0072)设置于所述波导GeSn层(0032)与所述探测器GeSn层(0033)之间；

α-Si层(008)，设置于所述波导GeSn层(0032)上；

第一应力膜(009)，所述第一应力膜(009)设置于所述第一氧化层(0071)、所述第二氧化层(0072)、所述α-Si层(008)上及两侧、所述波导GeSn层(0032)两侧；

第二应力膜(010)，所述第二应力膜(010)设置于所述探测器GeSn层(0033)、所述探测器p+掺杂Ge层(0042)、所述探测器p+掺杂Si层(0052)、所述探测器保护层(0062)两侧及所述探测器保护层(0062)上；

电极(011)设置于所述Ge层(002)、所述光源保护层(0061)及所述第二应力膜(010)上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述Si衬底(001)由n+掺杂Si材料形成，厚度为30nm-750nm。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光源GeSn层(0031)与所述探测器GeSn层(0033)的厚度均为250nm，所述波导GeSn层(0032)的厚度为160nm-200nm。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光源GeSn层(0031)、所述波导GeSn层(0032)以及所述探测器GeSn层(0033)均由GeSn材料形成，所述GeSn材料中的Sn组分为3％-5％。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光源p+掺杂Ge层(0041)与所述探测器p+掺杂Ge层(0042)的厚度均为100nm。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光源p+掺杂Si层(0051)与所述探测器p+掺杂Si层(0052)的厚度均为300nm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述光源保护层(0061)与所述探测器保护层(0062)的厚度均为900nm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氧化层(0071)和所述第二氧化层(0072)均由SiO₂材料形成，宽度均为20nm-50nm。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述α-Si层(008)由α-Si材料形成，厚度为800nm-840nm。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一应力膜(009)与所述第二应力膜(010)均由SiN材料形成，厚度均为10nm-20nm。