[发明专利]一种显示面板的制程方法和显示面板有效
申请号: | 201811568113.6 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109755259B | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 葛邦同 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L21/02 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 方法 | ||
本发明公开了一种显示面板的制程方法和显示面板,制程方法包括第一基板的制程方法,第一基板的制程方法包括步骤:在基板沉积底层材料;对底层材料的上表面,采用准分子紫外光照射操作,并进行水洗操作,完成底层结构的表面的洁净工作;在底层材料上方沉积第二层金属;通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层;在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层;在镀第二层金属之前进行准分子紫外光照射和水洗的制程,可以有效减少底层结构表面的有机物和氧化物的残留,减少第二层金属的数据线短路或断路的现象,从而提升4mask工艺的良率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板的制程方法和显示面板。
背景技术
随着科技的发展和进步,平板显示器由于具备机身薄、省电和辐射低等特点而成为显示器的主流产品。平板显示器包括薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,TFT-LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器等。其中,薄膜晶体管液晶显示器通过控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面,具有机身薄、省电和无辐射等众多优点。而有机发光二极管显示器是利用有机电致发光二极管制成,具有自发光、响应时间短、清晰度与对比度高、可实现柔性显示与大面积全色显示等诸多优点。
在显示面板的制作过程中,一般的薄膜晶体管(Thin Film Tran-sistor,TFT)基板结构,包括通过一金属层同层形成的源极和漏极,将金属层下方的结构作为底层结构或底层材料,若底层结构或底层材料形成之后,不立即形成金属层,则底层结构或底层材料的上方可能出现一些影响源极和漏极的电路性能的杂质,这些杂质影响阵列基板的性能,因而,如何去除这些杂质成为本领域技术人员系带解决的技术。
发明内容
本发明提供一种去除底层结构或底层材料上方影响源极和漏极的电路性能的杂质的显示面板的制程方法和显示面板。
为实现上述目的,本发明提供了一种显示面板的制程方法,所述制程方法包括第一基板的制程方法,所述第一基板的制程方法包括步骤:
在基板沉积底层材料;
对底层材料的上表面,采用准分子紫外光(Extreme Ultraviolet Lithography,EUV)照射操作,并进行水洗操作,完成底层结构的表面的洁净工作;
在底层材料上方沉积第二层金属;
通过光罩制程蚀刻第二层金属以形成第二金属层;
在第二金属层的上方形成钝化层和透明导电层。
可选的,所述对底层材料的上表面,采用准分子紫外光照射操作,并进行水洗操作,完成底层结构的表面的洁净工作的步骤包括:
使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作;
对完成准分子紫外光照射操作的底层材料上表面进行水洗操作。
可选的,本方案还可以在使用准分子紫外光照射操作对底层材料上表面进行洁净工作的同时,进行对底层材料上表面进行水洗操作。
可选的,所述准分子紫外光照射操作和水洗操作之后还包括步骤:
对完成准分子紫外光照射操作和水洗操作之后的底层结构的上表面使用风刀吹干操作。
可选的,所述底层材料用于形成有源层,所述第二金属层包括同层形成的源极和漏极;
所述在基板沉积底层材料的步骤包括:
在基板上依次形成栅极和栅极绝缘层;
在栅极绝缘层的上方沉积有源层材料作为底层材料;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811568113.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:画素阵列基板与显示装置
- 下一篇:一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的