[发明专利]栅极与薄膜晶体管的制造方法

说明书

本发明公开一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。所述栅极的制造方法包含：提供一基板；形成一第一金属层在所述基板上；形成一铝钼复合金属层在所述第一金属层上；及形成一第二金属层在所述铝钼复合金属层上，以形成所述栅极。本发明实施例的栅极与薄膜晶体管的制造方法可减少或避免所述栅极的毛刺结构的产生，进而改善所述薄膜晶体管的工作效率。

技术领域

本发明是有关于一种半导体领域，特别是有关于一种栅极与薄膜晶体管的制造方法。

背景技术

近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的CRT显示器日益深入人们的日常生活中。目前，常用的平板显示器包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器。上述平板显示器具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。

而在平板显示器的阵列基板中，每一个像素配备了用于控制该像素的开关单元，即薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，TFT至少包含栅极、源极区与漏极区。通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素造成串扰等的影响。

目前薄膜晶体管中，主要是采用Al/Mo的双层结构。然而，此种栅极由于界面处的原电池反应(galvanic reaction)与阳极氧化反应，容易形成相间的孔洞结构。此外，由于后续制造过程中使用的药液在所述孔洞结构的顶端的疏水作用，易导致孔洞宽化，因而在Al层的尖端(taper)上形成如图3所示的毛刺结构(burr structure)。由于毛刺的存在会影响后续栅极绝缘层的覆盖性，或者产生电荷积累，甚至可能导致尖端放电，进而影响薄膜晶体管的工作效率。

故，有必要提供一种栅极与薄膜晶体管的制造方法，以解决现有技术所存在的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种栅极与薄膜晶体管的制造方法，以解决现有技术中使用双层结构的栅极所存在的影响薄膜晶体管的工作效率的问题。

本发明的一目的在于提供一种栅极及薄膜晶体管的制造方法，其可以通过在二个金属层之间形成一铝钼复合金属层，以减少或避免毛刺结构的产生，进而改善薄膜晶体管的工作效率。

为达成本发明的前述目的，本发明一实施例提供一种栅极的制造方法，其中所述栅极的制造方法包含：提供一基板；形成一第一金属层在所述基板上；形成一铝钼复合金属层在所述第一金属层上；及形成一第二金属层在所述铝钼复合金属层上，以形成所述栅极。

在本发明的一实施例中，所述铝钼复合金属层是通过一溅镀处理而形成，其中所述溅镀处理是在0.2至0.3Pa之间的一处理压力、180至200℃之间的一处理温度下通过一铝钼复合金属靶材以17至70kw的一处理功率进行的。

在本发明的一实施例中，所述铝钼复合金属层的一厚度是介于360至500纳米之间。

在本发明的一实施例中，所述栅极的制造方法更包含对所述栅极进行一蚀刻步骤，以图案化所述栅极。

在本发明的一实施例中，所述蚀刻步骤是通过一含铝成分的酸剂来进行的。

在本发明的一实施例中，所述蚀刻步骤的一蚀刻时间是介于6至18秒及所述蚀刻步骤的一蚀刻温度介于35至45℃之间。

在本发明的一实施例中，所述第一金属层是一铝层以及所述第二金属层是一钼层。

再者，本发明另一实施例提供一种薄膜晶体管的制造方法，其中所述薄膜晶体管的制造方法包含步骤：提供一基板；形成一栅极，其中形成所述栅极的步骤包含：形成一第一金属层在所述基板上；形成一铝钼复合金属层在所述第一金属层上；形成一第二金属层在所述铝钼复合金属层上，以形成所述栅极；覆盖一栅极绝缘层在所述栅极上；以及形成一源极区与一漏极区在所述栅极绝缘层上。