[发明专利]半导体发光装置及其制造方法在审
申请号: | 201811568616.3 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110010753A | 公开(公告)日: | 2019-07-12 |
发明(设计)人: | 池田贤司 | 申请(专利权)人: | 斯坦雷电气株式会社 |
主分类号: | H01L33/64 | 分类号: | H01L33/64;H01L33/62;H01L33/52 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 朱丽娟;黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体发光装置 热传导膜 金属芯 平坦面 上表面 基板 热膨胀 半导体发光元件 发光特性 发光元件 抑制装置 接合 树脂层 粘接层 嵌合 通孔 制造 贯穿 | ||
1.一种半导体发光装置,其特征在于,所述半导体发光装置具有:
基板;
金属芯,其隔着树脂层嵌合到形成于所述基板的通孔中,且贯穿所述基板;
热传导膜,其形成在所述金属芯的上表面的区域内,且具有平坦面;以及
半导体发光元件,其隔着粘接层与所述热传导膜的所述平坦面接合,
所述热传导膜的外缘与所述金属芯的所述上表面的外缘分离。
2.根据权利要求1所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述粘接层的外缘与所述金属芯的所述上表面的外缘分离。
3.根据权利要求1或2所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述金属芯具有柱体形状或锥台形状,所述金属芯的侧面与所述树脂层相接。
4.根据权利要求1~3中任意一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
所述基板的所述通孔具有柱体形状或锥台形状,其内壁与所述树脂层相接。
5.根据权利要求1~4中任意一项所述的半导体发光装置,其特征在于,
在所述热传导膜的周围的所述金属芯的所述上表面的缘部环状地设置有凹部槽或凸部肋。
6.一种半导体发光装置的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括如下工序:
第1工序,在基板上形成通孔;
第2工序,使金属芯隔着树脂层嵌合到所述通孔中并固定;
第3工序,形成热传导膜,所述热传导膜形成在所述金属芯的上表面的区域内,且具有平坦面;以及
第4工序,使半导体发光元件与所述热传导膜的所述平坦面接合。
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