[发明专利]导电结构、在导电结构上具有垂直堆叠的存储器单元的组合件及导电结构形成方法在审

专利信息
申请号: 201811569295.9 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN110010611A 公开(公告)日: 2019-07-12
发明(设计)人: N·M·洛梅利;T·乔治;J·D·格林利;S·M·波克;J·M·梅尔德里姆 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: H01L27/11529 分类号: H01L27/11529;H01L27/11556;H01L27/11573;H01L27/11582
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 导电结构 导电 存储器单元 组合件 垂直堆叠 内部区 侧壁 块体 导电突起 向上延伸 向下延伸 申请案 配置 填充 集成电路
【权利要求书】:

1.一种集成电路的导电结构,其包括:

上部主部分;所述上部主部分包括被配置为容器的第一导电组成部分,所述容器具有底部且具有从所述底部向上延伸的一对侧壁;所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间;所述上部主部分包括被配置为块体的第二导电组成部分,所述块体填充所述容器的所述内部区;所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分包括不同的组成;所述第二导电组成部分沿着界面结合至所述第一导电组成部分,所述界面沿着所述容器的所述侧壁的内表面且跨越所述容器的所述底部的上表面延伸;及

一或多个导电突起部,其结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸。

2.根据权利要求1所述的导电结构,其包括经平面化上表面,所述经平面化上表面跨越所述第一导电组成部分及所述第二导电组成部分的上表面延伸。

3.根据权利要求1所述的导电结构,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者在沿着穿过互连区的横截面具有基本上尖锐拐角的所述互连区处结合到所述上部主部分。

4.根据权利要求1所述的导电结构,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者在沿着穿过互连区的横截面具有弧形拐角的所述互连区处结合到所述上部主部分。

5.根据权利要求1所述的导电结构,其中所述第一导电组成部分包括金属,且其中所述第二导电组成部分包括经导电掺杂的半导体材料。

6.根据权利要求5所述的导电结构,其中所述第一导电组成部分包括第一材料、位于所述第一材料上方的第二材料及位于所述第二材料上方的第三材料;其中所述第一材料及所述第三材料包括第一金属;其中所述第二材料包括与所述第一金属不同的第二金属;且其中所述第二导电组成部分包括经导电掺杂的硅。

7.根据权利要求6所述的导电结构,其中所述第一材料及所述第三材料包括氮化钛,且其中所述第二材料包括钨。

8.根据权利要求6所述的导电结构,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者包括所述第一材料、所述第二材料及所述第三材料。

9.根据权利要求6所述的导电结构,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者仅包括所述第一材料。

10.根据权利要求6所述的导电结构,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者仅包括所述第一材料及所述第二材料。

11.一种组合件,其包括:

沟道材料柱,其垂直地延伸;

存储器单元,其沿着所述沟道材料柱;

导电结构,其位于所述沟道材料柱下方;

所述导电结构包括上部主部分以及一或多个导电突起部,所述一或多个导电突起部结合到所述上部主部分且从所述上部主部分向下延伸;

所述上部主部分包括第一导电组成部分及第二导电组成部分;

所述第一导电组成部分被配置为具有底部且具有从所述底部向上延伸的一对侧壁的容器;

所述容器的内部区位于所述底部上方且位于所述侧壁之间;

所述第二导电组成部分被配置为填充所述容器的所述内部区的块体;

所述第二导电组成部分与所述第一导电组成部分包括不同的组成;

所述第二导电组成部分包括经导电掺杂的半导体材料;且

所述沟道材料柱直接抵靠所述第二导电组成部分的所述经导电掺杂的半导体材料。

12.根据权利要求11所述的组合件,其中所述存储器单元是NAND存储器阵列的NAND存储器单元。

13.根据权利要求11所述的组合件,其中所述一或多个导电突起部中的至少一者在沿着穿过互连区的横截面具有基本上尖锐拐角的所述互连区处结合到所述上部主部分。

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