[发明专利]一种BaTaO2有效

专利信息
申请号: 201811569717.2 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109928762B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: 李端;李斌;曾良 申请(专利权)人: 中国人民解放军国防科技大学
主分类号: C04B35/58 分类号: C04B35/58;C04B35/626
代理公司: 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 代理人: 张丽娟
地址: 410073 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 batao base sub
【说明书】:

发明公开了一种BaTaO2N氧氮化物粉体的双氮源制备方法,包括以下步骤:S1、将碱土金属盐、钽盐与氮源I溶于醇中,球磨后干燥,得到混合前驱体;S2、将步骤S1所得的混合前驱体与氮源II置于反应容器中,在保护气氛中煅烧,得到BaTaO2N氧氮化物粉体;其中,所述混合前驱体与氮源II间隔设置。本制备方法制备周期短,得到的产物纯度高、介电性能好。

技术领域

本发明涉及高性能介电陶瓷材料制备技术领域,尤其涉及一种BaTaO2N氧氮化物粉体及其双氮源制备方法。

背景技术

近年来,钙钛矿类氧氮化物ATaO2N(A=Sr, Ba)受到国内外学者的广泛关注。它是一类新型的功能陶瓷材料,由相应的钙钛矿类氧化物AxTayOz(A=Sr, Ba)晶体结构中引入氮原子得到。由于N原子电负性和极化性比O原子高,且根据能带理论,N 2p轨道能级比O 2p轨道高,故N的引入导致导带和价带之间的带隙减小;同时,在ATaO2N(A=Sr, Ba)晶体结构中,Ta原子与O/N原子构成Ta(O,N)6八面体且Ta位于八面体中心,A原子位于八面体之间并占据晶胞的八个顶点,由于A原子和Ta原子半径的差异,以及N原子的引入和排列方式,使得Ta(O,N)6八面体发生不同程度的倾斜,改变了Ta-O/N-Ta的键长和键角,Ta离子偏离中心位置,产生自发极化,使得ATaO2N(A=Sr, Ba)氧氮化物呈现出极高的介电常数。Y.I. Kim等最先系统报道了SrTaO2N和BaTaO2N的合成及其介电性能,其介电常数分别达3000和5000(Y.I.Kim, et al. Characterization of the structural, optical, and dielectricproperties of oxynitride perovskites AMO2N (A=Sr, Ba, Ca; M=Ta, Nb). Chem.Mater., 2004, 16: 1267-1276);Y.R. Zhang等制得了相对密度大于90%的SrTaO2N陶瓷,其介电常数高达16000(Y.R. Zhang, et al. Sintering and dielectric properties ofperovskite SrTaO2N ceramics. J. Eur. Ceram. Soc., 2012, 32: 1269-1274)。

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