[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质

说明书

本发明提供一种基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。在光刻步骤中，在适当的位置进行曝光处理。一种在步骤S10中在晶片的正面涂敷抗蚀剂液，在步骤S17中使晶片的正面上的被曝光了的抗蚀剂膜显影的晶片处理方法，其包括在步骤S14的曝光处理前在该晶片的背面形成降低摩擦膜的降低摩擦膜成步骤(步骤S5)，其中，该降低摩擦膜用于降低晶片的背面与在曝光处理时保持晶片的背面的保持面的摩擦。

技术领域

本发明涉及在基片的正面涂敷涂敷液，使基片的正面上的被曝光了的涂敷膜显影的基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质。

背景技术

例如在多层配线构造的半导体器件的制造步骤中，多次进行例如在半导体晶片(下面，称为“晶片”。)上形成抗蚀剂图案的光刻步骤。在光刻步骤中，进行在晶片上涂敷抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷处理、在抗蚀剂膜上曝光规定的图案的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

在各光刻步骤间，以对晶片的相同区域进行投射(shot)的方式进行曝光处理。而且，由于伴随着近年的半导体器件的进一步高集成化的抗蚀剂图案的微小化，要求提高在前一光刻步骤中进行投射的区域与后一光刻步骤中进行投射的区域的位置匹配的精度，即套刻(重合)的精度。

因此，在例如专利文献1中，提出了一种方法：使用散射计(Scatterometer)来检测套刻的误差，并据此来控制用于进行曝光的扫描器的动作。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011－171732号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

然而，在曝光处理中，被运送到曝光装置的晶片暂且被交接到例如3个升降销后，被载置到载置台。于是，晶片由载置台吸附保持，在载置台上的晶片的位置固定的状态下进行投射。

然而，被交接到升降销的晶片由于其自重而外周部比中心部向下方弯曲，因此以从外周部向中心部去的顺序载置在载置台。如此，由于晶片的外周部先由载置台吸附保持，因此在其中心部在施加有压力(应力)的状态下被吸附保持。另外，存在最初运送到曝光装置的晶片不平坦而产生翘曲的情况，上述情况下依然晶片在施加了压力的状态下被吸附保持。如此，在对晶片施加了压力的状态下将其吸附保持在载置台时，存在晶片变形，在从希望的区域偏离的区域进行投射的情况。

这一点，在上述的专利文献1中，未着眼于如上述那样的在载置台载置晶片时的问题，依然存在不能在适当的位置进行投射的情况。因此，在提高曝光处理的套刻的精度的方面，存在改善的余地。

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的在于在光刻步骤中在适当的位置进行曝光处理。

用于解决技术问题的技术方案

用于解决上述技术问题的本发明为一种基片处理装置，其在基片的正面涂敷涂敷液，对基片的正面上的被曝光了的涂敷膜进行显影，上述基片处理装置的特征在于：具有用于在曝光处理前在该基片的背面形成降低摩擦膜的膜形成部，其中，上述降低摩擦膜用于降低上述基片的背面与在曝光处理时保持上述基片的背面的保持面的摩擦。

根据本发明，通过在曝光处理前在基片的背面形成降低摩擦膜，在曝光处理中在载置台载置基片时，形成于基片的背面的降低摩擦膜与载置台接触。这样一来，例如在因升降销而基片的外周部比中心部向下方弯曲的情况下或者被运送到曝光装置的基片不平坦的情况下，利用降低摩擦膜使基片以在载置台上能够滑动的方式载置在载置台上，能够降低一直以来那样施加于基片的压力。因此，能够将基片吸附保持在载置台上的适当的位置，因此能够抑制基片要被曝光的位置偏离于正常的位置。其结果，能够改善曝光处理的套刻。