[发明专利]用于制造具有沟道截断区域的半导体器件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在构件区域（600）的与锯道区域（ 800）连接的边缘终止区域（690）中构造从第一主表面（701）出发延伸到第一导电类型的构件层（710）中的沟道截断区域（191）；以及

构造在所述构件区域（600）中从所述第一主表面（701）出发延伸到所述构件层（710）中的经掺杂的区域（120），其中

借助在第一光刻法之前实施的光刻法来构造所述沟道截断区域（191），其中所述第一光刻法用于将掺杂物引入到在所述沟道截断区域（191）之外的所述构件区域（600）的区段中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述沟道截断区域（191）邻接到所述锯道区域（800）上或延伸到所述锯道区域（800）中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述沟道截断区域（191）与所述锯道区域（800）隔有间距。

4.根据权利要求1至2中任一项所述的方法，其中，

构造所述沟道截断区域（191）包括：在第一主表面（701）上构造第一掺杂物掩模（410）以及将第一掺杂物（195）穿过所述第一掺杂物掩模（410）的掩模开口（415）引入，其中所述掩模开口（415）暴露出所述锯道区域（800）的至少一个区段。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，

所述第一掺杂物（195）通过所述第一主表面（701）的、通过所述第一掺杂物掩模（410）的所述掩模开口（415）所暴露出的区段来被引入。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，

在引入所述第一掺杂物（195）之后，至少另一次地实施如下过程顺序，所述过程顺序包括：移除所述第一掺杂物掩模（410）；将另外的构件层施加到所述第一主表面（701）上；构造具有掩模开口（415）的另外的第一掺杂物掩模（410），所述掩模开口（415）使得所述锯道区域（800）的至少一个区段暴露出；以及通过所述掩模开口（415）引入所述第一掺杂物（195）。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，

在引入所述第一掺杂物（195）之前构造沟槽（790），其中所述沟槽从所述第一主表面（701）出发延伸到所述构件层（710）中，并且其中所述第一掺杂物（195）穿过所述沟槽（790）的内表面被引入到所述构件层（710）中。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，

所述沟槽（790）至少部分地构造在所述锯道区域（800）中。

9.根据权利要求7或8中任一项所述的方法，其中，

用第一导电类型的掺杂的半导体材料填充所述沟槽（790）。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其中，

所述沟道截断区域（191）至少部分地通过热迁移来构造。

11.根据权利要求1至10中任一项权利要求所述的方法，其中，

所述第一掺杂物（195）至少包含硒、硫或磷。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，

构造所述沟道截断区域（191）包括：在至少1000℃的温度情况下的高温处理，在引入所述第一掺杂物之后且在构造所述经掺杂的区域（120）之前执行所述高温处理，并且通过所述高温处理将所述第一掺杂物（195）分布到扩散区域（190）上，其中所述扩散区域（190）的第一区段在所述构件区域（600）中形成所述沟道截断区域（191）。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，

所述高温处理在高于1000℃的温度情况下和含氧环境中进行，其中在所述第一主表面（701）上构造氧化物层（210）。