[发明专利]研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法,以及研磨用组合物原液的制造方法在审
申请号: | 201811570718.9 | 申请日: | 2013-08-12 |
公开(公告)号: | CN109943236A | 公开(公告)日: | 2019-06-28 |
发明(设计)人: | 土屋公亮;浅田真希 | 申请(专利权)人: | 福吉米株式会社 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/02 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 研磨用组合物 吸附物 水溶性高分子 二氧化硅 制造 换算 原液 吸附 总碳 | ||
本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法,以及研磨用组合物原液的制造方法,所述研磨用组合物含有二氧化硅、水溶性高分子以及水。包含至少一部分水溶性高分子的吸附物吸附在二氧化硅上。吸附物的碳换算浓度为4质量ppm以上。吸附物的碳换算浓度相对于研磨用组合物中的总碳浓度的百分率为15%以上。
本申请是申请日为2013年8月12日,申请号为201380055071.5,发明名称为“研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法,以及研磨用组合物原液的制造方法”的申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及研磨用组合物、研磨用组合物的制造方法、以及研磨用组合物原液的制造方法。
背景技术
为了实现在电脑中使用的ULSI(超大规模集成电路,Ultra Large ScaleIntegration)等的高度集成化和高速化,半导体装置的设计规则的微细化在逐年推进。与此相伴,半导体装置中使用的基板上的纳米级的微小的表面缺陷对半导体装置的性能造成不良影响的事例在增加。因此,管理以往未成为问题的微小的表面缺陷的重要性变高。
基板上产生的微小的表面缺陷的一部分是因为磨粒等研磨材料、水溶性高分子等添加剂、研磨垫屑、被研磨去除的基板的切屑、空气中的尘埃等异物吸附在基板表面,其在清洗工序中未被去除而残留在基板上。
为了减少这样的异物引起的表面缺陷,对研磨后的基板表面赋予亲水性、提高清洗工序中的异物的去除效率是有效的。例如,专利文献1中公开了:以对研磨后的基板表面赋予亲水性为目的,在研磨用组合物中使用调整了粘度的水溶性高分子。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2010-34509号公报
发明内容
本发明的目的在于提供容易抑制基板产生的微小的表面缺陷的研磨用组合物及其制造方法。另外本发明的其他目的在于提供用于制备该研磨用组合物的研磨用组合物原液的制造方法。
为了达成上述目的,本发明的一个方式中提供研磨用组合物,其为含有二氧化硅、水溶性高分子以及水的研磨用组合物,包含至少一部分前述水溶性高分子的吸附物吸附在前述二氧化硅上,研磨用组合物中的前述吸附物的碳换算浓度为4质量ppm以上、且前述吸附物的碳换算浓度相对于研磨用组合物中的总碳浓度的百分率为15%以上。
前述水溶性高分子的重均分子量优选为300000以下。
前述水溶性高分子的重均分子量优选为200000以下。
前述水溶性高分子的重均分子量优选为100000以下。
本发明的其他方式提供制造上述方式的研磨用组合物的方法,其包括制备含有二氧化硅、水溶性高分子以及水的研磨用组合物原液的工序和通过将前述研磨用组合物原液以水或碱性水溶液进行稀释而得到研磨用组合物的工序,所述研磨用组合物中,包含前述水溶性高分子的吸附物吸附在前述二氧化硅上,研磨用组合物中的前述吸附物的碳换算浓度为4质量ppm以上、且前述吸附物的碳换算浓度相对于研磨用组合物中的总碳浓度的百分率为15%以上。
制备前述研磨用组合物原液的工序优选包括在二氧化硅和碱性化合物的混合物中混合水溶性高分子,将得到的混合物过滤的工序。
优选使前述研磨用组合物原液中的前述二氧化硅的含量为1质量%以上且20质量%以下,并且使前述碱性化合物的含量为0.01质量%以上且1质量%以下。
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