[发明专利]一种激光器结构

权利要求书

1.一种激光器结构，其特征在于，包括：

衬底层；

第一分布式布拉格反射镜层，设置于所述衬底层上，所述第一分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料；

第一n型Ge层，设置于所述第一分布式布拉格反射镜层上；

第二n型Ge层，设置于所述第一n型Ge层上；

第一p型Ge层，设置于所述第二n型Ge层上；

第二p型Ge层，设置于所述第一p型Ge层上；

第二分布式布拉格反射镜层；设置于所述第二p型Ge层上，所述第二分布式布拉格反射镜层包括交替生长的高折射率材料层和低折射率材料层，所述高折射率材料层为GaAs/AIAs超晶格材料；所述低折射率材料层为AIAs材料。

2.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜层的厚度为640～900nm。

3.根据权利要求2所述的激光器结构，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜层中GaAs/AIAs超晶格的对数为3对，每对GaAs/AIAs超晶格种GaAs的厚度为100～150nm，AIAs的厚度为180～300nm。

4.根据权利要求3所述的激光器结构，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射镜层的厚度为1280～1800nm。

5.根据权利要求4所述的激光器结构，其特征在于，所述第二分布式布拉格反射镜层中GaAs/AIAs超晶格的对数为6对，每对GaAs/AIAs超晶格种GaAs的厚度为100～150nm，AIAs的厚度为180～300nm。

6.根据权利要求5所述的激光器结构，其特征在于，所述第一分布式布拉格反射镜为N型分布式布拉格反射镜，所述第二分布式布拉格反射镜为P型分布式布拉格反射镜。

7.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述第一n型Ge层的厚度为180～200nm，掺杂浓度为3×10¹⁸～5×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述第二n型Ge层的厚度为180～200nm，掺杂浓度为5×10¹⁷～7×10¹⁷cm^-3。

9.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述第一p型Ge层的厚度为200～220nm，掺杂浓度为3×10¹⁸～1×10¹⁹cm^-3。

10.根据权利要求1所述的激光器结构，其特征在于，所述第二p型Ge层的厚度为200～220nm，掺杂浓度为5×10¹⁸～3×10¹⁹cm^-3。