[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201811571268.5 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110137102B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 西田崇之;冲田展彬 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/687 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
1.一种基板处理装置,对基板进行处理,所述基板处理装置的特征在于包括:
旋转底座;
旋转驱动部,使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转;
基板保持部,设置在所述旋转底座上,保持所述基板;
基板支撑部,设置在所述旋转底座上,支撑所述基板;以及
处理液供给部,对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面供给处理液;并且
所述基板保持部具有配置在所述基板下方而与所述基板在所述铅垂方向上重合的第1内侧部分以及与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第1外侧部分,
所述基板支撑部具有配置在所述基板下方,与所述基板在所述铅垂方向上重合的第2内侧部分和与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第2外侧部分,
所述基板支撑部的所述第2外侧部分的上端为所述基板支撑部的最上端,所述基板支撑部在所述第2内侧部分支撑着所述基板的状态下,所述基板支撑部的所述第2外侧部分的所述上端位于比所述基板的上表面更靠下侧的位置。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持部是抵接于所述基板的周端部上的多个部位而保持所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板保持部包括:
活动保持部,能够在与所述旋转轴线接离的接离方向上移动;以及
固定保持部,固定在所述旋转底座上。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述活动保持部包括:
一个或两个活动保持构件,能够在所述接离方向上移动,并且抵接于所述基板的周缘部。
5.根据权利要求3所述的基板处理装置,其特征在于,
所述固定保持部包括:
一个或两个固定保持构件,固定在所述旋转底座上,抵接于所述基板的周缘部。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板支撑部包括:
倾斜面,朝向与所述旋转轴线相离的方向,向所述铅垂方向的上侧倾斜。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板支撑部的所述第2外侧部分,从所述基板的周端部伸出。
8.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于还包括:
物理清洗部,对所述基板保持部所保持的所述基板的上表面进行物理清洗。
9.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,其特征在于,
所述基板支撑部包括:
多个支撑构件,设置在所述旋转底座上,对所述基板的不同部分进行支撑。
10.一种基板处理方法,对基板进行处理,所述基板处理方法的特征在于包括:
工序(a),以设置在旋转底座上的基板保持部保持所述基板;
工序(b),以设置在所述旋转底座上的基板支撑部对在所述工序(a)中所述基板保持部所保持的所述基板进行支撑;
工序(c),通过使所述旋转底座围绕着沿铅垂方向的旋转轴线旋转,而使所述基板旋转;以及
工序(d),对在所述工序(c)中旋转的所述基板的上表面供给处理液;并且
所述基板保持部具有配置在所述基板下方而与所述基板在所述铅垂方向上重合的第1内侧部分以及与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第1外侧部分,
所述基板支撑部具有配置在所述基板下方,与所述基板在所述铅垂方向上重合的第2内侧部分和与所述基板在所述铅垂方向上不重合的第2外侧部分,
所述基板支撑部的所述第2外侧部分的上端为所述基板支撑部的最上端,所述基板支撑部在所述第2内侧部分支撑着所述基板的状态下,所述基板支撑部的所述第2外侧部分的所述上端位于比所述基板的上表面更靠下侧的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201811571268.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造