[发明专利]工艺腔室和半导体处理设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，其特征在于，包括：

腔室本体；

基座，设置在所述腔室本体内；

加热件，位于所述基座和所述腔室本体的腔室壁之间，所述加热件能够向外辐射加热光线，以加热所述基座；

反射组件，位于所述加热件和所述腔室本体的腔室壁之间，所述反射组件能够将入射至其表面的加热光线反射至所述基座处。

2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述反射组件包括反射件，所述反射件具有反射面，所述反射面与所述加热件相对设置。

3.根据权利要求2所述的工艺腔室，其特征在于，所述反射面呈平面或弧面，所述弧面的凸出方向远离所述加热件。

4.根据权利要求3所述的工艺腔室，其特征在于，所述加热件包括沿所述腔室本体的径向间隔设置的若干个红外加热灯管；

当所述反射面呈弧面时，所述弧面包括间隔设置的多个子弧面，每个所述子弧面至少对应一个所述红外加热灯管，且所述子弧面将与其所对应的所述红外加热灯管包裹在其内。

5.根据权利要求4所述的工艺腔室，其特征在于，每个所述反射面在对应所述红外加热灯管的位置处设置有冷却槽，以冷却对应的所述红外加热灯管。

6.根据权利要求2至5中任意一项所述的工艺腔室，其特征在于，所述反射组件还包括冷却件，所述冷却件用于冷却所述反射件。

7.根据权利要求6所述的工艺腔室，其特征在于，所述冷却件包括若干个冷却管路，所述反射件包括沿其长度方向间隔设置的若干个安装孔；其中，

每个所述冷却管路穿设在对应的所述安装孔中。

8.根据权利要求7所述的工艺腔室，其特征在于，其中一部分所述冷却管路为水冷管路，另一部分所述冷却管路为气冷管路，并且，所述水冷管路和所述气冷管路交叉间隔设置。

9.根据权利要求8所述的工艺腔室，其特征在于，在所述反射面上设置有冷却槽时，每个所述气冷管路的出气口与对应的所述冷却槽连通。

10.一种半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备包括权利要求1至9中任意一项所述的工艺腔室。