[发明专利]一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法

权利要求书

1.一种制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，该方法是先将CsX和PbX₂按摩尔比为(1.1～1.4):1混合形成富铯前驱体，接着再将该前驱体放入同一蒸发源中，利用热蒸发方法在待沉积的基底上进行真空沉积得到全无机钙钛矿发光二极管活性层，该全无机钙钛矿发光二极管活性层厚度为100nm～300nm，具有CsPbX₃和Cs₄PbX₆复合相，具有高荧光量子产率，且能够作为发光层最终形成全无机钙钛矿发光二极管；

其中，X代表卤族元素；

所述沉积过程中，所述待沉积的基底以10～20rpm的转速旋转，同时该基底的温度恒定，满足70～120℃；

所述前驱体的总质量为120～133mg；所述沉积具体是在所述待沉积的基底其温度稳定至少10分钟后，将装有所述前驱体的蒸发源电流控制为65～80A，蒸发速率控制为5～20埃每秒，使所述前驱体快速蒸发4～8分钟，然后，继续增大电流至90～100A，继续热蒸发处理3～5分钟直至蒸发速率显示为0，所述前驱体全部被蒸发完。

2.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述待沉积的基底是以20rpm的转速旋转，温度恒定在120℃。

3.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述前驱体具体是将CsX和PbX₂按摩尔比为1.2:1混合形成的。

4.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述沉积开始之前，需要对蒸发腔室进行抽真空处理，使其真空度小于4×10^-4Pa。

5.如权利要求4所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述沉积开始之前，需要对蒸发腔室进行抽真空处理，使其真空度具体为3×10^-4Pa。

6.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述待沉积的基底具体为面积不超过10cm×10cm的有机物衬底、氧化铟锡(ITO)导电玻璃或各种金属泊片。

7.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述前驱体具体是被放置在热蒸发设备中与晶振片正对着的蒸发源中。

8.如权利要求1所述制备全无机钙钛矿发光二极管活性层的方法，其特征在于，所述X是I、Br、Cl中的一种或任意比例的组合。