[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法在审
申请号: | 201811571694.9 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN110021638A | 公开(公告)日: | 2019-07-16 |
发明(设计)人: | 金度亨;任从赫;李在晟;兪承沅 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;夏青 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 低电平电压 辅助电极 有机发光显示装置 有机发光二极管 绝缘膜层 堤层 绝缘层 阴极 侧面接触 发光区域 电连接 穿过 制造 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
低电平电压线,所述低电平电压线接收低电平电压;
多个绝缘层,所述多个绝缘层位于所述低电平电压线之上;
辅助电极,所述辅助电极位于所述绝缘层中的最上绝缘层上,所述辅助电极被形成为穿过所述绝缘层并且所述辅助电极电连接至所述低电平电压线;
堤层,所述堤层位于所述辅助电极之上并且限定有机发光二极管所在的发光区域;以及
所述有机发光二极管的阴极,其位于所述堤层上并且与所述辅助电极的侧面接触。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述绝缘层包括:
位于所述低电平电压线之上的钝化膜;以及
覆盖所述钝化膜的平坦化膜,
其中,所述堤层位于所述平坦化膜之上,以露出所述辅助电极的端部的部分。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述阴极连接至所述辅助电极从所述堤层突出的突出部的侧面。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,所述有机发光二极管进一步包括位于所述平坦化膜上的阳极,
其中,所述辅助电极由与所述阳极相同的材料制成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置,其中,所述有机发光二极管进一步包括覆盖所述阳极和所述堤层并且位于所述阴极下的有机发光层。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述低电平电压线位于所述发光区域内。
7.一种有机发光显示装置的制造方法,所述方法包括:
在接收低电平电压的低电平电压线之上形成多个绝缘层;
形成辅助电极,所述辅助电极被形成为穿过所述绝缘层并且所述辅助电极电连接至所述低电平电压线;
在所述辅助电极之上形成限定有机发光二极管所在的发光区域的堤层;以及
形成所述有机发光二极管的覆盖所述堤层并且至少与所述辅助电极的侧面接触的阴极。
8.根据权利要求7所述的方法,其中,形成所述绝缘层包括:
在所述低电平电压线之上形成钝化膜;以及
在所述钝化膜上形成平坦化膜,
其中,在所述平坦化膜上将所述堤层形成为露出所述辅助电极的端部的部分。
9.根据权利要求8所述的方法,还包括:
在形成所述阴极之前,通过使用与所述辅助电极相同的材料在所述平坦化膜上形成所述有机发光二极管的阳极;以及
形成所述有机发光二极管的有机发光层,以覆盖所述阳极和所述堤层。
10.根据权利要求9所述的方法,其中,所述阴极是使用具有优于所述有机发光层的阶梯覆盖度的透明金属材料形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的