[发明专利]一种基于智能医疗设备终端的通讯供电合成与分离系统有效

专利信息
申请号: 201811571781.4 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN109525115B 公开(公告)日: 2020-10-27
发明(设计)人: 王跃;黄继春 申请(专利权)人: 厦门固立电子科技有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158;H04B1/3883
代理公司: 厦门荔信航知专利代理事务所(特殊普通合伙) 35247 代理人: 徐婕
地址: 361000 福建省厦门市火炬高新区*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 智能 医疗 设备 终端 通讯 供电 合成 分离 系统
【权利要求书】:

1.一种基于智能医疗设备终端的通讯供电合成与分离系统,包括通讯供电合成模块(1)和通讯供电分离模块(2),其特征在于:所述通讯供电合成模块(1)的接线端通过导线分别连接有第一合成电极(3)、第二合成电极(4)和第三合成电极(5),且通讯供电分离模块(2)的接线端通过导线分别连接有第一分离电极(6)、第二分离电极(7)和第三分离电极(8);

所述通讯供电合成模块(1)由集成电路U1、NMOS管Q1、电阻R1、电阻R2、NMOS+PMOS管Q2和电容C1组成;

所述电阻R1一端接入VCC1,另一端接入所述第一合成电极与UART1-RX之间;所述集成电路U1的第1脚接入PWR/COM#,第2脚接入UART1-TX,第3脚接地,第4脚与所述NMOS管Q1的栅极连接,第5脚接入VCC1;所述电容C1跨接在所述集成电路U1的第3脚和第5脚之间;所述NMOS管Q1的源极接地,漏极与所述电阻R2串联后接入PWR1;所述NMOS+PMOS管Q2包括NMOS管与PMOS管,所述NMOS管和所述PMOS管的栅极均接入所述NMOS管Q1漏极与所述电阻R2之间,所述NMOS管的源极接地,所述PMOS管的漏极接PWR1,所述NMOS管的漏极与所述PMOS管的源极连接后接入所述第二合成电极;所述第三合成电极接入GND1;

所述通讯供电分离模块(2)由电容C2、电阻R3、NMOS管Q3、集成电路U3、集成电路U2、整流二极管D1、电感L1、电容C3、电容C4、电容C5、电容C6和电阻R4组成;

所述集成电路U3的第2脚与UART2-TX连接,第4脚与所述第一分离电极连接,第5脚接VCC2,第3脚接地;所述电容C6跨接在所述集成电路U3的第5脚和第3脚之间;所述集成电路U2的第4脚接UART2-RX,第5脚接VCC2,第3脚接GND2,第2脚接入所述NMOS管Q3的漏极;所述电容C5跨接在所述集成电路U2的第3脚与第5脚之间;所述NMOS管Q3的源极接GND2,漏极与所述电阻R4串联后接入VCC2;所述电阻R3跨接在所述NMOS管Q3的源极和栅极之间;所述NMOS管Q3的栅极与所述电容C2连接后接入所述第二分离电极;所述整流二极管D1的正极接入所述第二分离电极,负极与所述电感L1串联后接入PWR2,所述电容C3一端接GND2,另一端接入PWR2,所述电容C4正极接PWR2,负极接GND2;所述第三分离电极接GND2;

所述集成电路U1、所述集成电路U2、所述集成电路U3的型号分别为SN74LVC1G32、SN74LVC1G14、SN74LVC1G07。

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