[发明专利]一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法在审
| 申请号： | 201811571923.7 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109725375A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 刘昆;叶嗣荣;田坤;段利华;黄茂;莫才平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光栅 刻蚀 干法刻蚀 氧气 材料纳米 光栅表面 刻蚀过程 聚合物 晶圆 分段 表面清洗工艺 有机聚合物 光栅图形 晶圆表面 刻蚀表面 纳米光栅 光洁 衬底 挥发 去除 掩膜 升高 引入 重复 制作 | ||
【权利要求书】：
1.一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，包括：
S1、采用干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆，以将掩膜上的光栅图形转移到Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆上；
S2、使用氧气干法刻蚀晶圆表面；
S3、判断是否达到目标尺寸，若没达到则重复步骤S1～S2，否则结束刻蚀。
2.根据权利要求1所述的一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，在采用干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族材料晶圆的过程中，将设定衬底温度为10℃。
3.根据权利要求1所述的一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，材料刻蚀速度为20nm/min。
4.根据权利要求3所述的一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，步骤S1中干法刻蚀的持续时间为15秒。
5.根据权利要求1所述的一种Ⅲ-Ⅴ族材料纳米光栅刻蚀方法，其特征在于，步骤S2中氧气干法刻蚀的持续时间为30秒。
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