[发明专利]一种封装器件、制备方法及信号测量的方法有效
申请号: | 201811572162.7 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109786265B | 公开(公告)日: | 2020-10-02 |
发明(设计)人: | 钱芳斌;付志平;梁广庆;邓恩华;李志雄 | 申请(专利权)人: | 中山市江波龙电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/66;H01L23/31 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 528437 广东省中*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 器件 制备 方法 信号 测量 | ||
本申请公开了一种封装器件、制备方法及信号测量的方法,所述测量基板包括:第一基层;测试电极,位于所述第一基层上,所述测试电极用于与封装基板或芯片上的待测信号焊盘电连接,以及与测试仪器的探针电连接。通过上述方式,本申请能够将测试电极预留在封装器件内部,降低待测信号焊盘与测试电极之间的距离。
技术领域
本申请涉及信号测量技术领域,特别是涉及一种封装器件、制备方法及信号测量的方法。
背景技术
随着通信速率的越来越高,信号测量工作也变得越来越困难,高速信号的反射特性使得以前飞线连接捕捉波形的方法不再适用。目前主流的解决方法是在主板PCB板上的高速信号走线上预留测试电极(即,测试点),测试电极的放置的位置一般是要求尽可能的靠近信号发送端或者接收端。
芯片上的信号发送端或者接收端一般需要经过如下过程才能与PCB板上预留的测试电极电连接:首先芯片上与信号发送端或者接收端对应的待测信号焊盘通过引线与封装基板的第一侧电连接;然后封装基板通过过孔将引线和位于封装基板的第二侧的焊球电连接;进一步封装基板通过焊球与PCB板电连接;最后PCB板通过走线电连接到测试电极。
本申请的发明人在长期研究过程中发现,上述工艺过程较为繁琐,且导致芯片上的待测信号焊盘与测试电极距离依旧较大,可能引起信号的反射导致捕捉信号波形失真;此外,若PCB板上安装器件密度较大,则无法预留测试点,进而导致无法进行信号测量。
发明内容
本申请主要解决的技术问题是提供一种封装器件、制备方法及信号测量的方法,能够将测试电极预留在封装器件内部,降低待测信号焊盘与测试电极之间的距离。
为解决上述技术问题,本申请采用的一个技术方案是:提供一种封装器件,所述封装器件包括:封装基板,包括相背设置的第一侧和第二侧;芯片,位于所述封装基板的所述第一侧,且与所述封装基板电连接;测量基板,位于所述封装基板的所述第一侧,所述测量基板包括第一基层、测试电极,所述测试电极位于所述第一基层上,所述测试电极与所述封装基板或所述芯片上的待测信号焊盘电连接;封装层,覆盖所述封装基板的所述第一侧、所述芯片、以及所述测量基板;其中,所述测试电极用于在测试时暴露于所述封装层且与测试仪器的探针电连接。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种封装器件的制备方法,所述制备方法包括:提供封装基板,所述封装基板包括相背设置的第一侧和第二侧;在所述封装基板的所述第一侧设置芯片,且将所述芯片与所述封装基板电连接;在所述封装基板的所述第一侧设置测量基板,且将所述封装基板或所述芯片上的待测信号焊盘与所述测量基板的第一基层上的测试电极电连接;在所述封装基板的所述第一侧形成封装层,所述封装层覆盖所述芯片以及所述测量基板;其中,所述测试电极用于在测试时暴露于所述封装层且与测试仪器的探针电连接。
为解决上述技术问题,本申请采用的另一个技术方案是:提供一种信号测量的方法,所述方法包括:提供上述任一实施例所述的封装器件;研磨远离所述封装基板的所述封装层的第一表面,以使得所述测试电极露出;测试仪器的探针与所述测试电极电连接,以对所述待测信号焊盘进行信号测量。
本申请的有益效果是:区别于现有技术的情况,本申请所提供的测量基板位于封装器件的内部,其与芯片位于封装基板的同一侧,包括第一基层以及位于第一基层上的测试电极,测试电极与封装基板或芯片上的待测信号焊盘电连接;当需要进行信号测量时,将测试电极的暴露于封装层,测试仪器的探针与该测试电极电连接即可。本申请引入测量基板使得将待测信号焊盘与测试电极电连接的过程更为简单,且两者之间的位置更为接近,最大程度的降低了信号反射。此外,本申请中测试电极位于封装基板的第一侧,其与测试仪器的探头电连接更为方便。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造