[发明专利]封装方法及封装结构在审

专利信息
申请号: 201811572256.4 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN111348613A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 杨天伦 申请(专利权)人: 中芯集成电路(宁波)有限公司
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00;B81C1/00
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 315800 浙江省宁波市北*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 封装 方法 结构
【权利要求书】:

1.一种封装方法,其特征在于,包括:

提供一具有第一器件组件的第一晶圆和一具有第二器件组件的第二晶圆,所述第一晶圆具有相背设置的第一面和第二面,且所述第一晶圆的第一面上具有与所述第一器件组件电连接的第一电学连接端点,所述第二晶圆具有相背设置的第一面和第二面,且所述第二晶圆的第一面上设有与所述第二器件组件电连接的第二电学连接端点;

键合所述第一晶圆的第二面和所述第二晶圆的第一面,以形成晶圆堆叠结构,且所述第一电学连接端点与所述第二电学连接端点在所述第二晶圆的第一面上的投影相互错开;

切割所述晶圆堆叠结构,以形成呈阶梯型的晶片,所述晶片包括第一晶圆部分和第二晶圆部分,所述第一晶圆部分具有所述第一器件组件和电连接所述第一器件组件的所述第一电学连接端点,所述第二晶圆部分具有所述第二器件组件和电连接所述第二器件组件的所述第二电学连接端点,且所述第二电学连接端点和所述第一晶圆部分在所述第二晶圆部分的第一面上的投影相互错开;

提供一具有第三器件组件的第三晶圆,所述第三晶圆具有一键合表面,所述键合表面上具有与所述第三器件组件电连接的第三电学连接端点,将所述晶片键合到所述第三晶圆的所述键合表面上,所述晶片暴露出所述第三电学连接端点的部分或全部;

形成一封装层于所述第三晶圆的键合表面上,所述封装层至少包覆所述晶片和所述第三电学连接端点;以及,

形成重布线结构于所述封装层上,且所述重布线结构分别与所述第一电学连接端点、所述第二电学连接端点以及所述第三电学连接端点电性连接。

2.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第一器件组件、第二器件组件以及第三器件组件分别包括一独立器件的一部分,所述第一器件组件、所述第二器件组件和所述第三器件组件通过所述重布线结构、所述第一电学连接端点、所述第二电学连接端点以及所述第三电学连接端点电连接形成所述独立器件;或者,所述第一器件组件、第二器件组件以及第三器件组件中的包括相应的独立器件的全部。

3.如权利要求1所述的封装方法,其特征在于,所述第二器件组件包括可移动电子元件。

4.如权利要求3所述的封装方法,其特征在于,提供所述第一晶圆的步骤包括:

提供一形成有所述第一器件组件的第一衬底,所述第一衬底具有相背设置的第一面和第二面;

在所述第一衬底的第一面上形成与所述第一器件组件电连接的所述第一电学连接端点,;

形成一钝化保护层,所述钝化保护层覆盖在所述第一衬底的第一面上并将所述第一电学连接端点掩埋在内;

将所述第一衬底键合到一载体上,所述钝化保护层夹在所述第一衬底和所述载体之间;

形成一金属键合层覆盖于所述第一衬底的第二面上;

从所述第一衬底的第二面刻蚀所述金属键合层以及部分厚度的所述第一衬底,以形成凸起的键合环和所述键合环所围出的凹槽,所述凹槽用于在所述第一晶圆和所述第二晶圆键合后形成空腔,所述空腔用于容纳所述可移动电子元件并提供所述可移动电子元件的移动空间;以及,

去除所述载体,以形成所述第一晶圆。

5.如权利要求4所述的封装方法,其特征在于,所述第二晶圆的第一面上还具有对应所述键合环的导电凸块,所述第二器件组件的可移动电子元件位于所述导电凸块内侧;在键合所述第一晶圆和所述第二晶圆时,所述导电凸块和所述键合环对准并键合,以形成所述空腔。

6.如权利要求1至5中任一项所述的封装方法,其特征在于,提供所述第二晶圆的步骤包括:

提供一第二衬底,所述第二衬底具有相背设置的第一面和第二面,先在所述第二衬底中制备所述第二器件组件,以及,再在所述第二衬底的第一面上形成与所述第二器件组件电连接的所述第二电学连接端点;或者,

提供一第二衬底,所述第二衬底具有相背设置的第一面和第二面,先在所述第二衬底的第一面上形成所述第二电学连接端点,以及,再在所述第二衬底的第一面上制备暴露出所述第二电学连接端点的所述第二器件组件。

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