[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；

位于所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且位于所述多层半导体层的有源区内的多个源极、多个栅极和多个漏极；所述源极包括第一类源极和第二类源极，所述第一类源极包括位于所述有源区边缘的两个源极，所述第二类源极包括位于两个所述第一类源极之间的多个源极；

贯穿所述衬底和所述多层半导体层的通孔；所述通孔包括第一类通孔和第二类通孔，所述第一类源极在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第一类通孔在所述衬底上的垂直投影，所述第二类源极在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第二类通孔在所述衬底上的垂直投影，其中，每个所述第一类源极对应的第一类通孔形成的电感值大于每个所述第二类源极对应的第二类通孔形成的电感值。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个第一类源极对应的第一类通孔形成的自感大于每个第二类源极对应的第二类通孔形成的自感，和/或，每个第一类源极对应的第一类通孔形成的互感大于每个第二类源极对应的第二类通孔形成的互感。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第一类源极对应的第一类通孔的横截面积之和小于每个所述第二类源极对应的第二类通孔的横截面积之和。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第一类源极对应的第一类通孔的数量小于或者等于每个所述第二类源极对应的第二类通孔的数量。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第一类通孔形成的电感值大于每个所述第二类通孔形成的电感值。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，每个所述第一类通孔的横截面形状与每个所述第二类通孔的横截面的形状相同或者不同。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿所述栅极延伸方向，相邻两个所述第一类通孔之间的距离小于相邻两个所述第二类通孔之间的距离。

8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，当每个所述第一类通孔的横截面形状与每个所述第二类通孔的横截面的形状相同时，沿所述栅极延伸方向，所述第一类通孔的延伸长度小于所述第二类通孔的延伸长度；和/或，沿所述栅极延伸方向的垂直方向，所述第一类通孔的延伸宽度小于所述第二类通孔的延伸宽度。

9.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，当每个所述第一类通孔的横截面形状与每个所述第二类通孔的横截面的形状不同时，沿所述栅极延伸方向，相邻两个所述第一类通孔之间的距离大于相邻两个所述第二类通孔之间的距离。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述通孔的横截面形状包括圆形、椭圆形、矩形或者梯形；所述通孔的纵截面形状包括梯形或者矩形。

11.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧制备多层半导体层，所述多层半导体层中形成有二维电子气；

在所述多层半导体层远离所述衬底一侧，且在所述多层半导体层的有源区内制备多个源极、多个栅极和多个漏极；所述源极包括第一类源极和第二类源极，所述第一类源极包括位于所述有源区边缘的两个源极，所述第二类源极包括位于两个所述第一类源极之间的多个源极；

在所述衬底远离所述多层半导体层的一侧制备通孔，所述通孔贯穿所述衬底和所述多层半导体层；所述通孔包括第一类通孔和第二类通孔，所述第一类源极在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第一类通孔在所述衬底上的垂直投影，所述第二类源极在所述衬底上的垂直投影覆盖所述第二类通孔在所述衬底上的垂直投影，其中，每个所述第一类源极对应的第一类通孔形成的电感值大于每个所述第二类源极对应的第二类通孔形成的电感值。