[发明专利]一种封装电子元件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811573299.4 申请日: 2018-12-21
公开(公告)号: CN111354703A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 深圳市泛宜微电子技术有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/50;H01L23/367
代理公司: 广东广和律师事务所 44298 代理人: 刘敏
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街道高*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 封装 电子元件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种封装电子元件,其特征在于,包括:

芯片,所述芯片包括第一导电端以及第二导电端,其中第一导电端位于所述芯片的第一表面上,第二导电端位于所述芯片的第二表面上,所述第一表面与第二表面相对;

第一导电片,所述第一导电片包括有第一导电接口以及第二导电接口,所述第一导电片贴合在所述第一表面上,所述第一导电接口与第一导电端电连接;

第二导电片,所述第二导电片包括有第三导电接口以及第四导电接口,所述第二导电片贴合在所述第二表面上,所述第三导电接口与第二导电端电连接;

其中,所述第二导电接口与所述第四导电接口在所述封装电子元件的厚度方向上间隔设定距离。

2.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述第一导电片焊接或粘接在所述芯片的第一表面上。

3.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述第二导电片焊接或粘接在所述芯片的第二表面上。

4.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述电子元件的芯片包括有G级、S级以及D级;

所述第一导电接口包括有G级接口以及S级接口,所述芯片的G级、S级分别于第一接口的G级接口以及S级接口电连接;

所述第二导电接口与所述芯片的D级电连接。

5.如权利要求1所述的电子元件,其特征在于,所述第一导电层的边缘与大于所述芯片的边缘,且在第一方向与所述芯片的距离不小于0.2mm,在第二方向上与所述芯片的距离不小于0.3mm。

6.如权利要求1所述的封装电子元件,其特征在于,还包括有外框,第一导电片、第二导电片或芯片中的一个或多个设置在所述外框内。

7.如权利要求1所述的封装电子元件,其特征在于,所述封装电子元件应用在封装模块中,所述封装模块包括有基板,以及设置在基板上的第一导电层、第二导电层,所述第一导电层设置在所述基板的第一板面上,所述第二导电层设置在所述基板的第二板面上;

其中,所述第二导电接口与第一导电层电连接,所述第四导电接口与第二导电层电连接。

8.一种封装电子元件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

在第一导电基板上,按照第一设定尺寸,成型第一导电片;

在所述成型的第一导电片上涂敷或印刷上第一粘接层,其中所述第一粘接触到所述第一导电片的边缘间隔一定距离;

将芯片安装到所述第一导电片上,使所述芯片的第一表面与所述第一导电片贴合,并且将所述芯片的第一导电端与所述第一导电片电连接;

在第二导电基板上,按照第二设定尺寸,成型第二导电片;

在所述成型的第二导电片上涂敷或印刷上第二粘接层,其中所述第二粘接触到所述第二导电片的边缘间隔一定距离;

将涂敷或印刷上第二粘接层的第二导电片连接到所述芯片上,使所述芯片的第二表面与所述第二导电片贴合,并且将所述芯片的第二导电端与所述第二导电片电连接。

9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述第一粘接层与所述第一导电片的边缘距离在0.2-0.8mm之间;

和/或所述第二粘接层与所述第二导电片的边缘距离在0.2-0.8mm之间。

10.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,所述方法还包括:

在所述第一导电片、第二导电片或芯片中的一种或多种周围注塑密封,形成封装电子元件的外框结构。

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