[发明专利]一种磁场辅助化学刻蚀的装置及方法在审

申请号：	201811574042.0	申请日：	2018-12-21
公开（公告）号：	CN109860039A	公开（公告）日：	2019-06-07
发明（设计）人：	丁雪峰;沈雷	申请（专利权）人：	苏州矩阵光电有限公司
主分类号：	H01L21/306	分类号：	H01L21/306;H01L21/67
代理公司：	北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250	代理人：	李静
地址：	215614 江苏省苏州市***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	化学刻蚀磁场磁场辅助刻蚀材料刻蚀刻蚀液溶液瓶半导体材料半导体芯片常规化学定向刻蚀光刻处理激发装置加速离子刻蚀溶液阴阳离子放入涂胶损伤容纳侧面外部保留应用
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【权利要求书】：

1.一种磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，包括，

S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料(2)；

S2、将待刻蚀材料(2)放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀。

2.根据权利要求1所述的磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，所述磁场由置于刻蚀液外部的磁场激发装置产生。

3.根据权利要求2所述的磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，所述磁场激发装置包括电磁线圈或永磁体。

4.根据权利要求1-3任一所述的磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，所述刻蚀液为体积比(0.1～10)：(0.1～10)：(10～50)的H₃PO₄、H₂O₂和H₂O的混合液；或，所述刻蚀液为体积比(0.1～10)：(1～20)的BOE和H₂O的混合液；其中，所述BOE为质量百分数49％的HF水溶液与质量百分数40％的NH₄F水溶液以体积比1：(3～8)组成的混合液。

5.根据权利要求1-4任一所述的磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，所述待刻蚀材料(2)包括半导体基片，所述半导体基片为Si、Ge、Ga_x1As_1-x1、Al_x2Ga_y1As_1-(x2+y1)、In_x3P_1-x3中的一种，其中，x1～x3和y1均为原子数百分含量，且0<x1～x3<1，0<y1<1。

6.根据权利要求1-5任一所述的磁场辅助化学刻蚀的方法，其特征在于，所述待刻蚀材料(2)还包括外延层、金属层和介质层中的一种或几种，所述外延层为Si、Ge、Ga_x4As_1-x4、Al_x5Ga_y2As_1-(x5+y2)、In_x6P_1-x6中的一种或几种，其中，x4～x6和y2均为原子数百分含量，且0<x4～x6<1，0<y2<1；所述金属层为Au、Ag、Al、Cu、Ti、Fe、Ni、Co、Mn、Mg、Zn、Zr中的一种或几种；所述介质层为SiO₂、Al₂O₃、Si₃N₄、TiO₂、ZrO₂、MgO中的一种或几种。