[发明专利]用于操作晶体管器件的方法和具有晶体管器件的电子电路

权利要求书

1.一种方法，包括：

监测晶体管器件(1)的操作参数和负载路径电压(V_DS)；

当所述操作参数低于与所述操作参数相关联的阈值(TH)时，以正常模式操作所述晶体管器件(1)，其中以所述正常模式操作所述晶体管器件(1)包括基于驱动信号(S_DRV)在导通状态和关断状态中的一种状态中操作所述晶体管器件(1)；以及

在基于将所述操作参数与所述阈值(TH)进行比较而检测到故障时，以故障模式操作所述晶体管器件(1)，其中以所述故障模式操作所述晶体管器件(1)包括关断所述晶体管器件(1)，

其中在所述导通状态中操作所述晶体管器件(1)包括根据取决于所述负载路径电压(V_DS)的第一特性曲线来调节所述阈值(TH)，以及

其中在所述关断状态中操作所述晶体管器件(1)包括根据与所述第一特性曲线不同的第二特性曲线来调节所述阈值(TH)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中根据所述第一特性曲线的所述阈值(TH)取决于所述负载路径电压(V_DS)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中根据所述第一特性曲线来调节所述阈值(TH)包括：随着所述负载路径电压(V_DS)在预定义的电压范围(V_DS1-V_DS2)内的增加而减小所述阈值(TH)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述第二特性曲线来调节所述阈值(TH)包括：随着所述负载路径电压(V_DS)在所述预定义的电压范围内的增加而保持所述阈值(TH)恒定。

5.根据权利要求3所述的方法，其中根据所述第二特性曲线来调节所述阈值(TH)包括：根据所述晶体管器件(1)的负载电流(I_DS)来调节所述阈值(TH)。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述阈值(TH)随着所述负载电流(I_DS)的增加而增加。

7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述操作参数选自组，所述组包括：

通过所述晶体管器件(1)的负载路径的电流(I_DS)；

所述晶体管器件(1)的温度；以及

所述晶体管器件(1)的不同位置(243，244)处的温度之间的温度差。

8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，

其中所述操作参数包括多个操作参数，

其中检测到所述故障包括：基于将所述多个操作参数中的每个操作参数与多个阈值中的相应阈值进行比较而检测到所述故障，以及

其中所述多个阈值中的每个阈值在所述晶体管器件的所述导通状态中是基于多个第一特性曲线中的相应的第一特性曲线而获得的，并且在所述晶体管器件的所述关断状态中是基于多个第二特性曲线中的相应的第二特性曲线而获得的。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，进一步包括：

在以所述故障模式操作所述晶体管器件(1)时，独立于所述驱动信号(S_DRV)而保持所述晶体管器件(1)关断。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，进一步包括：

计数所述故障的检测以便获得故障数目；

将所述故障数目与故障阈值进行比较；以及

在以所述故障模式操作所述晶体管器件(1)时，如果所述故障数目等于所述故障阈值则保持所述晶体管器件关断，并且如果所述故障数目低于所述故障阈值则将操作模式从所述故障模式改变为所述正常模式。