[发明专利]三维封装天线及其封装方法

权利要求书

1.一种三维封装天线的封装方法，其特征在于，所述封装方法至少包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层接触的第一面及相对的第二面；

提供功率放大器芯片、低噪声放大器芯片、第一无源组件及第二无源组件，将所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件接合于所述重新布线层的第二面上；

于所述重新布线层的第二面上形成第一金属连接柱，所述第一金属连接柱与所述重新布线层电连接；

采用第一封装层封装所述第一金属连接柱、所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件，并使得所述第一封装层的顶面显露所述第一金属连接柱；

于所述第一封装层的表面形成第一天线金属层，所述第一天线金属层与所述第一金属连接柱电连接；

提供SAW滤波器组件及天线调谐器组件，将所述SAW滤波器组件及所述天线调谐器组件接合于所述第一天线金属层；

于所述第一天线金属层上形成第二金属连接柱；

采用第二封装层封装所述第一天线金属层、所述第二金属连接柱、所述SAW滤波器组件及所述天线调谐器组件，并使得所述第二封装层的顶面显露所述第二金属连接柱；

于所述第二封装层的表面形成第二天线金属层，所述第二天线金属层与所述第二金属连接柱电连接；

去除所述分离层及所述支撑基底；

提供收发一体芯片及电源管理集成电路芯片，将所述收发一体芯片及所述电源管理集成电路芯片接合于所述重新布线层的第一面上；

于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块。

2.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：还包括采用焊线工艺于所述重新布线层的第二面上形成电磁防护柱，所述电磁防护柱与所述重新布线层电连接，并由所述电磁防护柱将所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件相互之间电磁隔离；所述电磁防护柱的材料包括金、铜、铝、银中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：还包括于所述重新布线层的第二面上形成电磁防护框，所述电磁防护框与所述重新布线层电连接，并由所述电磁防护框将所述功率放大器芯片、所述低噪声放大器芯片、所述第一无源组件及所述第二无源组件相互之间电磁隔离；所述电磁防护框的材料包括金、铜、铝、银中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：将所述收发一体芯片及所述电源管理集成电路芯片接合于所述重新布线层的第一面上之前还包括，于所述重新布线层的第一面上形成凸块下金属层的步骤。

5.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：将所述收发一体芯片及所述电源管理集成电路芯片接合于所述重新布线层的第一面上之后还包括，于所述收发一体芯片及所述电源管理集成电路芯片与所述重新布线层的第一面之间填充底部填充层的步骤，所述底部填充层的材料包括复合树脂材料。

6.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：所述支撑基底包括玻璃基底、金属基底、半导体基底、聚合物基底及陶瓷基底中的一种；所述分离层包括聚合物层，所述聚合物层首先采用旋涂工艺涂覆于所述支撑基底表面，然后采用紫外固化或热固化工艺使其固化成型。

7.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：所述重新布线层包括介质层及金属布线层，所述介质层的材料包括由环氧树脂、硅胶、PI、PBO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃及含氟玻璃组成的群组中的一种或两种以上组合；所述金属布线层的材料包括由铜、铝、镍、金、银及钛组成的群组中的一种或两种以上组合。

8.根据权利要求1所述的三维封装天线的封装方法，其特征在于：采用表面贴装工艺将所述第一无源组件及所述第二无源组件接合于所述重新布线层的第二面上；采用表面贴装工艺将所述SAW滤波器组件及所述天线调谐器组件接合于所述第一天线金属层。