[发明专利]一种等离子体源及一种镀膜机

权利要求书

1.一种等离子体源，其特征在于，包括：

壳体；

电极，设于所述壳体上；

上接地件，设于所述壳体上并放置于所述电极的一侧；

下接地件，设于所述壳体上并放置于所述电极上背离所述上接地件的一侧，所述下接地件与所述电极之间构成等离子体反应腔；

绝缘件，设于壳体上并放置于所述电极与所述上接地件之间；

所述上接地件、绝缘件和电极之间设有供等离子体反应气体传输至所述等离子体反应腔的气体传输通道；

所述气体传输通道包括所述绝缘件与所述上接地件嵌合而形成的间隙通道。

2.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述上接地件上设有用以间隔开所述上接地件和所述绝缘件的上接地件间隔件；所述电极上设有用以间隔开所述电极和所述绝缘件的电极间隔件。

3.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述绝缘件上设有绝缘件贯穿结构；所述上接地件上设有上接地件贯穿结构和上接地件凸起结构，所述上接地件凸起结构与所述绝缘件贯穿结构配合形成上接地件配合间隙，用以传输等离子体反应气体。

4.如权利要求3所述的等离子体源，其特征在于，所述电极上设有电极贯穿结构和电极凸起结构，所述电极凸起结构与所述绝缘件贯穿结构配合形成电极配合间隙，用以传输等离子体反应气体。

5.如权利要求4所述的等离子体源，其特征在于，所述上接地件贯穿结构、所述上接地件配合间隙、所述电极配合间隙和所述电极贯穿结构相互之间错位排布。

6.如权利要求4所述的等离子体源，其特征在于，所述上接地件凸起结构、所述电极凸起结构为圆柱状、方块状及圆锥状中的一种和/或多种。

7.如权利要求3所述的等离子体源，其特征在于，所述绝缘件至少两个，该至少两个绝缘件上的绝缘件贯穿结构错位排列。

8.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，所述电极包括至少两个匀流板和由该至少两个匀流板组成的匀流腔，所述匀流板上设有匀流孔。

9.如权利要求1所述的等离子体源，其特征在于，还包括与所述电极连接的射频馈入装置，所述射频馈入装置包括由射频绝缘介质隔开的外导体和内导体，所述外导体和所述内导体分别与所述绝缘件密封连接。

10.一种镀膜机，该镀膜机包括如权利要求1至9中任一项所述的等离子体源。