[发明专利]一种恒流电路有效
申请号: | 201811575849.6 | 申请日: | 2018-12-22 |
公开(公告)号: | CN109683649B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 宋孙浩;张驰;郑天江 | 申请(专利权)人: | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 宁波元为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33291 | 代理人: | 单英 |
地址: | 315201 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 流电 | ||
1.一种恒流电路,用于对负载RL提供恒定电流源,包括MCU主控电路与DAC输出电路,MCU主控电路与DAC输出电路进行通信,DAC输出电路输出模拟电压;
其特征是:还包括差动积分放大电路、差分放大电路、第一PNP三极管Q1、第二PNP三极管Q2、NMOS晶体管、继电器、继电器驱动电路、三极管开关电路与反相放大电路;
所述的MCU主控电路通过端口IO1连接继电器驱动电路,继电器驱动电路的输出端连接继电器的电源负极,继电器的电源正极连接正电源VCC,继电器的常闭接点NC接地,继电器的公共接点COM连接三极管开关电路的输入端;三极管开关电路的输出端连接反相放大电路的输入端;反相放大电路的输出端连接第一PNP三极管Q1的基极;第一PNP三极管Q1的集电极和第二PNP三极管Q2的集电极都连接负电源VEE;第一PNP三极管Q1的发射极连接第二PNP三极管Q2的基极;第二PNP三极管Q2的发射极通过第九电阻R9连接到NMOS晶体管MOS1的源极;
负载RL的正极接地,负极经过电流采样电阻R7连接到NMOS晶体管MOS1的漏极;恒流电流从RL正极流到RL负极,经过电流采样电阻R7再流到NMOS晶体管MOS1的漏极;
所述的差动积分放大电路用于将DAC输出电路输出的模拟电压进行放大,放大后的模拟电压经过限流电阻R8输入NMOS晶体管MOS1的栅极;
所述的差分放大电路用于放大电流采样电阻R7两端的电压。
2.如权利要求1所述的恒流电路,其特征是:所述的DAC输出电路输出的模拟电压连接电压跟随电路1。
3.如权利要求1所述的恒流电路,其特征是:所述的差动积分放大电路由第一运算放大器OP1、第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1和第二电容C2组成;
所述的差分放大电路由第二运算放大器OP2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5以及第六电阻R6组成;
第一电阻R1的一端连接第二运算放大器OP2的输出端,另外一端连接第一运算放大器OP1的反相输入端;
第二电阻R2的一端连接电压跟随电路1的输出端,另一端连接第一运算放大器OP1的同相输入端;
第一电容C1的一端连接第一运算放大器OP1的同相输入端,另一端接地(GND);
第二电容C2的一端连接第一运算放大器OP1的反相输入端,另一端连接第一运算放大器OP1的输出端;
电阻R3一端连接电流采样电阻R7,另一端连接第二运算放大器OP2的同相输入端;
电阻R4一端连接第二运算放大器OP2的同相输入端,另一端接地(GND);
电阻R5一端连接NMOS晶体管MOS1的漏极(D极),另一端连接第二运算放大器OP2的反相输入端;
电阻R6一端连接第二运算放大器OP2的反相输入端,另一端连接第二运算放大器OP2的输出端。
4.如权利要求3所述的恒流电路,其特征是:第三电阻R3和第五电阻R5的阻值和精度相同。
5.如权利要求3所述的恒流电路,其特征是:第四电阻R4和第六电阻R6的阻值和精度相同。
6.如权利要求1至5中任一权利要求所述的恒流电路,其特征是:MCU主控电路通过设定端口IO1的不同电平值实现打开或关闭负载RL端的电流输出。
7.如权利要求3所述的恒流电路,其特征是:所述的恒流电路还包括电压跟随电路2、AD采样电路、限流电阻R10以及电位器Rp1,用于对差分放大电路的输出端电压信号进行比例放大和采样处理;
电压跟随电路2的输入端连接第二运算放大器OP2的输出端,电压跟随电路2的输出端通过限流电阻R10和电位器Rp1连接AD采样电路的输入端,AD采样电路的输出端连接到MCU主控电路的AD采样端口。
8.如权利要求7所述的恒流电路,其特征是:MCU主控电路通过采集AD采样电路输出的AD信号实时监控流过负载RL两端的电流。
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