[发明专利]一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法有效
申请号: | 201811576980.4 | 申请日: | 2018-12-23 |
公开(公告)号: | CN109686521B | 公开(公告)日: | 2020-10-09 |
发明(设计)人: | 周东平 | 申请(专利权)人: | 苏州晶鼎鑫光电科技有限公司 |
主分类号: | H01C17/08 | 分类号: | H01C17/08 |
代理公司: | 苏州国卓知识产权代理有限公司 32331 | 代理人: | 明志会 |
地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 陶瓷 薄膜 电阻 制作方法 | ||
1.一种基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、将陶瓷基板进行预处理;
S2、将陶瓷基板装入工装夹具内,再投放入蒸发镀膜设备,在真空度达到2×10-2PA、温度达到200℃后开始镀膜;
S3、给真空室充99.999%纯度的氮气,流量为20-400CC/min;
S4、打开离子源,离化氮气,同时阳极电压设置在300-350V;
S5、蒸发99.99%纯度的金属钽,蒸发速度控制在1-20A/s,得到氮化钽薄膜,氮化钽薄膜的厚度为200-5000nm;
S6、蒸发镀膜完成后,设置降温曲线。
2.根据权利要求1所述的基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法,其特征在于:所述步骤S1具体为将陶瓷基板用温度为25℃、浓度为30%的盐酸浸泡5分钟,浸泡完成后,取出陶瓷基板,用纯水对陶瓷基板冲淋,再将陶瓷基板放入超声波清洗线进行清洗烘干。
3.根据权利要求1所述的基于陶瓷的薄膜电阻膜制作方法,其特征在于:所述步骤S6的降温曲线为第一阶段250℃恒温30-60分钟,第二阶段200℃恒温30-60分钟,第三阶段150℃恒温30-60分钟后自然冷却。
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