[发明专利]静电防护电路及静电防护装置在审
申请号: | 201811577646.0 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109461730A | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 李伟江 | 申请(专利权)人: | 北京集创北方科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 郭新娟 |
地址: | 100088 北京市北京经济技*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防护电路 运放电路 第一端 静电防护电路 正极 负极 防护结构 隔离电路 静电防护装置 反相输入端 外部器件 焊接盘 输出端 输入端 芯片 同相输入端 正相输入端 电压钳位 电压失真 电源连接 有效缓解 漏电 端接地 正压 输出 | ||
1.一种静电防护电路,应用于包括芯片的静电防护装置,其特征在于,所述静电防护电路包括防护结构、第一隔离电路以及运放电路,所述防护结构包括正极防护电路和负极防护电路;
所述第一隔离电路的输入端与所述芯片的焊接盘连接、输出端与所述正极防护电路的第一端和负极防护电路的第一端分别连接,所述正极防护电路的第二端与电源连接,所述负极防护电路的第二端接地,所述运放电路的同相输入端与所述正极防护电路的第一端和负极防护电路的第一端连接、反相输入端连接于所述第一隔离电路的输入端与所述芯片的焊接盘之间、输出端与外部器件连接,以在所述防护结构正压时,所述运放电路将正相输入端的电压钳位至反相输入端,使所述正相输入端和反相输入端为等电位点。
2.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述第一隔离电路包括第一二极管和第二二极管,所述第一二极管与所述第二二极管反向并联后的一端作为所述第一隔离电路的输入端并与所述芯片的焊接盘连接、另一端作为所述第一隔离电路的输出端并与所述正极防护电路的第一端和负极防护电路的第一端连接。
3.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述静电防护电路还包括第二隔离电路,所述第二隔离电路连接于所述运放电路的同相输入端与所述述第一隔离电路的输出端之间。
4.根据权利要求3所述的静电防护电路,其特征在于,所述第二隔离电路包括电阻,所述电阻的第一端与所述第一隔离电路的输出端连接、第二端与所述运放电路的同相输入端连接。
5.根据权利要求4所述的静电防护电路,其特征在于,所述第二隔离电路还包括第一电容,所述第一电容的一端与电阻的第一端连接,另一端接地。
6.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述正极防护电路包括第三二极管,所述负极防护电路包括第四二极管,所述第三二极管的阳极和所述第四二极管的阴极分别与所述第一隔离电路的输出端连接,所述第三二极管的阴极与所述电源连接,所述第四二极管的阳极接地。
7.根据权利要求1所述的静电防护电路,其特征在于,所述正极防护电路包括第一MOS管,所述负极防护电路包括第二MOS管,所述第一MOS管的栅极与所述电源连接、源极和漏极中的一个与所述电源连接、另一个与所述第一隔离电路的输出端连接,所述第二MOS管的栅极接地、源极和漏极中的一个与所述第一隔离电路的输出端连接、另一个接地。
8.一种静电防护装置,其特征在于,包括静电防护装置芯片和权利要求1-7任意一项所述的静电防护电路中包括的防护结构、第一隔离电路以及运放电路。
9.根据权利要求8所述的静电防护装置,其特征在于,所述静电防护装置包括多个所述第一隔离电路、多个所述运放电路以及一个所述防护结构,每个运放电路分别与一个所述第一隔离电路对应,且各所述第一隔离电路的输入端分别与所述芯片不同引脚的焊接盘一一对应连接、输出端分别与所述防护结构中的正极防护电路的第一端和负极防护电路的第一端连接,各所述运放电路的同相输入端分别与所述第一隔离电路的输出端连接、反相输入端连接于对应的隔离电路的输入端与对应的芯片的引脚的焊接盘之间、输出端分别与不同的外部器件连接。
10.根据权利要求9所述的静电防护装置,其特征在于,所述静电防护装置还包括第二隔离电路,所述第二隔离电路的输入端与所述正极防护电路的第一端和负极防护电路的第一端连接,输出端与各所述运放电路的同相输入端连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的