[发明专利]半导体器件结构及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，包括：

衬底；

第一晶体管，悬空于所述衬底之上；所述第一晶体管包括：

第一沟道，悬空于所述衬底之上；

第一栅氧化层，包围于所述第一沟槽外围；

第一栅介质层，包围于所述第一栅氧化层外围；

第二栅氧化层，包围于所述第一栅介质层外围；

第一栅极，包围于所述第二栅氧化层外围；

第一源极及第一漏极，分别连接于所述第一沟道的两端；

第二晶体管，悬空于所述衬底之上，且与所述第一晶体管具有间距；所述第二晶体管包括：

第二沟道，悬空于所述衬底之上，且与所述第一沟道具有间距；

第二栅介质层，包围于所述第二沟道外围；

第二栅极，包围于所述第二栅介质层外围；

第二源极及第二漏极，分别连接于所述第二沟道的两端，且所述第二漏极与与其相邻的所述第一源极电连接；

第一字线，位于所述第一栅极外围，且与所述第一栅极接触连接；

第二字线，位于所述第二栅极外围，且与所述第二栅极接触连接；

位线，与所述第一漏极电连接；

源极线，与所述第二源极电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一沟道及所述第二沟道均包括纳米片。

3.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一栅氧化层、所述第一栅介质层及所述第二栅氧化层的总厚度介于50埃～150埃之间。

4.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一沟道的横截面形状包括圆角矩形，所述第二沟道的横截面形状包括圆角矩形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一沟道的掺杂类型与所述第一源极的掺杂类型及所述第一漏极的掺杂类型相同；所述第二沟道的掺杂类型与所述第二源极的掺杂类型及所述第二漏极的掺杂类型相同。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构包括若干个所述第一晶体管、若干个所述第二晶体管、若干条所述第一字线、若干条所述第二字线、若干条所述位线及若干条所述源极线；其中，若干个所述第一晶体管与若干个所述第二晶体管均呈多行多列排布，且每两行所述第一晶体管与每两行所述第二晶体管交替间隔排布；所述第一字线沿所述第一晶体管列排布的方向延伸，且将位于同一行的各所述第一晶体管的栅极依次串接；所述第二字线沿所述第二晶体管列排布的方向延伸，且将位于同一行的各所述第二晶体管的栅极依次串接；所述位线沿所述第一晶体管及所述第二晶体管行排布的方向延伸，且将位于同一列的所述第一晶体管的漏极依次串接；所述源极线沿所述第二晶体管的列排布方向延伸，且将相邻两行源极相连接的第二晶体管的源极依次串接。

7.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于：自所述衬底向上至少包括两个上下堆叠的所述第一晶体管，且相邻上下两所述第一晶体管之间具有间距；自所述衬底向上至少包括两个上下堆叠的所述第二晶体管，且相邻上下两所述第二晶体管之间具有间距。

8.根据权利要求6所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一晶体管与位于同一列中且最近邻的所述第二晶体管共同构成一存储单元格，同一列中每相邻两所述存储单元格背靠背设置于同一纳米片上。

9.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括：

第一隔离层，位于所述衬底的上表面，且位于所述衬底与所述第一晶体管及所述第二晶体管之间；

第二隔离层，位于自所述衬底向上堆叠的所述第一晶体管之间及自所述衬底向上堆叠的所述第二晶体管之间。