[发明专利]一种调节植物表面蜡质合成的方法有效
| 申请号： | 201811577885.6 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109706161B | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 金竹萍;裴雁曦;郝雪峰 | 申请（专利权）人： | 山西大学 |
| 主分类号： | C12N15/60 | 分类号： | C12N15/60;C12N15/82;A01H5/00;A01H6/20 |
| 代理公司： | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人： | 申艳玲 |
| 地址： | 030006 山*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 调节 植物 表面 蜡质 合成 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种过表达半胱氨酸脱巯基酶编码基因DES1用于促进植物拟南芥表面蜡质合成的用途，其特征在于：在植物拟南芥细胞体内过表达拟南芥半胱氨酸脱巯基酶编码基因DES1蛋白，从而使植物叶片和茎的表面蜡质合成增强。
2.根据权利要求1所述的用途，其特征在于包括以下步骤：
a. 在植物细胞中引入半胱氨酸脱巯基酶DES1的重组构建体，所述酶的编码基因为At5g28030，可操作性地连接至35S启动子；
b. 表达所述基因以调节植物体蜡质合成的水平；
c. 将所述植物种植在干旱条件下，所述植物具有提高的对干旱胁迫的耐受性。
3.根据权利要求1所述的用途，其特征在于：所述的转基因拟南芥植物与未转化的植物相比时，所述植物叶片蜡质层厚度增加26-54%，茎蜡质层厚度增加24-42%；
所述的转基因拟南芥植物与基因敲除植物相比时，所述植物叶片蜡质层厚度增加68-105%，茎蜡质层厚度增加15-31%。
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