[发明专利]盖板结构及其制作方法、电容式传感器有效
申请号: | 201811579463.2 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109626318B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 张萌;司朝伟;韩国威;宁瑾;杨富华;刘雯;颜伟 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 盖板 结构 及其 制作方法 电容 传感器 | ||
1.一种盖板结构,用于微机电器件晶圆级封装,其特征在于,包括:
密封盖板(1),其上设有一凹槽(2),该凹槽形成一容置空间;
电极板(3),位于所述凹槽(2)形成的容置空间之内,与凹槽(2)左右两侧的密封盖板(1)之间存在间隙;
第一垂直通孔(4),设置于所述电极板(3)之下,贯穿所述凹槽(2)下方的密封盖板(1);
第二垂直通孔(5),设置于所述密封盖板(1)的非凹槽位置并贯穿所述密封盖板(1)中的绝缘部分;以及
第一电极引线(6)和第二电极引线(7),分别沿着第一垂直通孔(4)和第二垂直通孔(5)引出至密封盖板(1)的下表面。
2.根据权利要求1所述的盖板结构,其中,
所述密封盖板(1)的上、下表面平行,所述密封盖板(1)的上表面粗糙度小于50nm;和/或,
所述凹槽(2)的下表面与所述密封盖板(1)的上表面平行,所述凹槽(2)的下表面粗糙度小于50nm;和/或,
所述凹槽(2)的深度小于所述密封盖板(1)的高度,所述凹槽(2)的左、右边缘对应与所述密封盖板(1)的左、右边缘的距离大于100μm。
3.根据权利要求1所述的盖板结构,其中,
所述电极板(3)的上表面与所述密封盖板(1)的上表面平行,所述电极板(3)的上表面粗糙度小于50nm;和/或,
所述电极板(3)的左、右边缘对应与所述凹槽(2)的左、右边缘的距离大于10μm;和/或,
所述电极板(3)的下表面通过键合工艺与所述凹槽(2)的下表面紧密结合。
4.根据权利要求1所述的盖板结构,其中,所述电极板(3)的高度小于所述密封盖板(1)的高度。
5.根据权利要求1所述的盖板结构,其中,
所述第一垂直通孔(4)的截面形状为柱形、锥形或梯形,所述第一垂直通孔(4)的底部与凹槽(2)下表面平齐,顶部与密封盖板(1)的下表面平齐,底部开口尺寸小于或等于顶部开口尺寸;和/或,
所述第二垂直通孔(5)的截面形状为柱形、锥形或梯形,所述第二垂直通孔(5)的底部与密封盖板(1)的上表面平齐,顶部与密封盖板(1)的下表面平齐,底部开口尺寸小于或等于顶部开口尺寸;或者,所述第二垂直通孔(5)的截面形状为柱形、锥形或梯形,所述第二垂直通孔(5)的底部与密封盖板(1)的绝缘部分的上表面平齐,顶部与绝缘部分的下表面平齐,底部开口尺寸小于或等于顶部开口尺寸。
6.根据权利要求1所述的盖板结构,其中,
所述密封盖板(1)的材料为绝缘材料或者覆盖有绝缘材料的半导体材料,包括:石英、玻璃、覆盖氧化硅的硅、及其组合;和/或,
所述电极板(3)的材料为导电材料,包括:铝、铜、钛、金、镍、铂、铬、钼、多晶硅、重掺杂的单晶硅、及其组合;和/或,
所述第一电极引线(6)和第二电极引线(7)的材料为导电材料,包括:铝、铜、钛、金、镍、铂、铬、钼、多晶硅、及其组合。
7.一种如权利要求1至6中任一项所述的盖板结构的制作方法,其特征在于,包括:
在绝缘材料形成的密封盖板(1)上制作凹槽(2),该凹槽形成一容置空间;
在凹槽(2)下方对应的密封盖板(1)区域制作第一垂直通孔(4);
利用一电极板材料制作含有凸台的结构,该凸台伸入所述凹槽(2)形成的容置空间中,与凹槽(2)左右两侧的密封盖板(1)之间存在间隙,该凸台中突出的表面与所述凹槽(2)的下表面键合;
去掉含有凸台的结构中除去凸台的其余部分,只剩下凸台或部分高度的凸台作为电极板(3);
在所述密封盖板(1)的非凹槽位置制作第二垂直通孔(5);以及
制作第一电极引线(6)和第二电极引线(7)。
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