[发明专利]蚀刻方法

权利要求书

1.一种基片的膜的蚀刻方法，该基片在所述膜上形成有具有图案的掩模，该蚀刻方法是在所述基片配置于等离子体处理装置的腔室内的状态下执行的，

所述蚀刻方法的特征在于，包括：

为了蚀刻所述膜，在所述腔室内生成第一处理气体的等离子体的步骤，其中，所述第一处理气体包含含第一碳氟化合物的第一气体、含第二碳氟化合物的第二气体、含氧气体和含氟气体；和

为了蚀刻所述膜，在所述腔室内生成第二处理气体的等离子体的步骤，其中，所述第二处理气体包含所述第一气体、所述第二气体、所述含氧气体和所述含氟气体，

交替地执行生成第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成第二处理气体的等离子体的所述步骤，

所述第二碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，大于所述第一碳氟化合物的分子中的氟原子数相对于碳原子数的比，

所述第一处理气体中的所述第一气体的流量，比所述第二处理气体中的所述第一气体的流量大，

所述第二处理气体中的所述第二气体的流量，比所述第一处理气体中的所述第二气体的流量大，

所述第二处理气体中的所述含氧气体的流量，比所述第一处理气体中的所述含氧气体的流量大，

所述第二处理气体中的所述含氟气体的流量，比所述第一处理气体中的所述含氟气体的流量小。

2.如权利要求1所述的蚀刻方法，其特征在于：

在生成第一处理气体的等离子体的所述步骤和生成的第二处理气体的等离子体的所述步骤这两个步骤的整个期间，连续地供给用于生成所述第一处理气体的等离子体和所述第二处理气体的等离子体的高频。

3.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一处理气体中的所述第一气体的流量，比所述第一处理气体中的所述第二气体的流量大，

所述第二处理气体中的所述第二气体的流量，比所述第二处理气体中的所述第一气体的流量大。

4.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一碳氟化合物是全氟烃或氢氟烃，

所述第二碳氟化合物是全氟烃或氢氟烃。

5.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第一碳氟化合物是C₄F₆。

6.如权利要求4所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述第二碳氟化合物是C₄F₈。

7.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含氧气体是氧气。

8.如权利要求1或2所述的蚀刻方法，其特征在于：

所述含氟气体是NF₃气体。