[发明专利]一种电压采样电路

权利要求书

1.一种电压采样电路，其特征在于，包括：隔离器、高精度全波整流电路、采样芯片、参考电压输出电路；

所述隔离器连接所述高精度全波整流电路，用于接收交流电网的交流电压输入，并将所述交流电压发送的所述高精度全波整流电路；

所述高精度全波整流电路连接所述采样芯片，用于将所述交流电压转换为直流电压，并将所述直流电压输出到所述采样芯片；

所述参考电压输出电路连接所述采样芯片，用于产生参考电压，并将所述参考电压输出到所述采样芯片；

所述采样芯片用于根据所述直流电压和所述参考电压得到采样信号并输出。

2.根据权利要求1所述的电压采样电路，其特征在于，所述隔离器为光耦合器。

3.根据权利要求1所述的电压采样电路，其特征在于，所述高精度全波整流电路包括：

第一电阻(R31a)、第二电阻(R32a)、第三电阻(R33a)、第四电阻(R35a)、第五电阻(R36a)、第六电阻(R37a)、第七电阻(R38a)、第八电阻(R39a)、第九电阻(R40a)、第十电阻(R41a)、第十一电阻(R42a)、第一电容(C34a)、第一二级管(D1a)、第二二级管(D2a)、第一运放(A)、第二运放(C)、第三运放(D)；

所述第一电阻(R31a)一端连接电压输入端(Vac_A)，另一端连接所述第二电阻(R32a)一端、所述第一二级管(D1a)负极、所述第一运放(A)反相输入端；所述第一二级管(D1a)正极连接所述第一运放(A)输出端、所述第二二级管(D2a)负极，所述第一运放(A)同相输入端连接所述第三电阻(R33a)一端，所述第三电阻(R33a)另一端接地；所述第二电阻(R32a)另一端连接所述第二二级管(D2a)正极、所述第五电阻(R36a)一端、所述第八电阻(R39a)一端；所述第五电阻(R36a)另一端连接所述第四电阻(R35a)一端、所述第二运放(C)同相输入端，所述第四电阻(R35a)另一端连接所述电压输入端(Vac_A)；所述第二运放(C)反相输入端连接所述第六电阻(R37a)一端、所述第七电阻(R38a)一端，所述第六电阻(R37a)另一端连接所述第二运放(C)输出端、所述第九电阻(R40a)一端，所述第七电阻(R38a)另一端接地；所述第九电阻(R40a)另一端连接所述第八电阻(R39a)另一端、所述第十电阻(R41a)一端、所述第三运放(D)反相输入端；所述第三运放(D)同相输入端连接所述第十一电阻(R42a)一端，所述第十一电阻(R42a)另一端接地，所述第三运放(D)输出端连接所述第十电阻(R41a)另一端、所述第一电容(C34a)一端、所述电压输出端(Va)，所述第一电容(C34a)另一端接地。

4.根据权利要求1所述的电压采样电路，其特征在于，所述参考电压输出电路包括：第二电容(C2a)、第三电容(C3a)、第四电容(C4a)、第五电容(C5a)、第十二电阻(R43a)、第十三电阻(R44a)、第三二级管(D3a)、第四二级管(D4a)、第五二级管(D5a)、电压产生芯片(U1)；

所述电压产生芯片(U1)引脚2连接所述第二电容(C2a)一端、所述第三电容(C3a)一端、所述电压输入端(VCC)，所述第二电容(C2a)另一端、所述第三电容(C3a)另一端均接地；所述电压产生芯片(U1)引脚1连接第十二电阻(R43a)一端，所述第十二电阻(R43a)另一端连接所述第四电容(C4a)一端、所述第十三电阻(R44a)一端；所述第四电容(C4a)另一端连接所述第十三电阻(R44a)另一端、所述第三二级管(D3a)正极、所述第四二级管(D4a)负极；所述第三二级管(D3a)负极连接所述第五二级管(D5a)负极、所述第五电容(C5a)正极、所述电压输入端(VCC)；所述第四二级管(D4a)正极、所述第五二级管(D5a)正极、所述第五电容(C5a)负极均接地；电压产生芯片(U1)引脚6连接参考电压输出接口。

5.根据权利要求4所述的电压采样电路，其特征在于，所述电压产生芯片(U1)的型号为REF198ES。

6.根据权利要求4所述的电压采样电路，其特征在于，所述电压产生芯片(U1)引脚6输出电压大小为4.096V。

7.根据权利要求1所述的电压采样电路，其特征在于，所述采样芯片(U1)的型号为MPC3204SESA。