[发明专利]一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法

权利要求书

1.一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，包括电路板、芯片载体、绝缘子、芯片放大器、芯片电容和MEMS滤波器，其特征在于，所述变频器的加工步骤如下：

S1：将电路板、芯片载体，绝缘子烧结到变频器腔体上；

S2：将裸芯片放大器、芯片电容共晶到芯片载体上；

S3：将相关器件烧结到到电路板上；

S4：将MEMS滤波器粘接到芯片载体上；

S5：金丝键合；

S6：对装配完成的腔体贴片组件进行封盖、测试。

2.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S1的具体操作过程如下：

S11：用50℃的酒精清洗所述变频器腔体，再将清洗完成后的变频器腔体放置在腔体周转盒内，一段时间后，待其自然冷却并且干燥；

S12：用点胶机将电路板的底面和芯片载体的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏，在滤波器腔体内，在电路板与芯片载体对应的位置上均匀涂上适量的焊锡膏，然后再将电路板与芯片载体放置在滤波器腔体内对应的位置上；

S13：再用点胶机将绝缘子的外侧与绝缘子在腔体的过孔位置涂上一圈焊锡膏，最后将绝缘子安装在腔体的过孔位置，将点胶机设置为连续点胶模式；

S14：打开加热台，在加热台的温度调节至190℃-200℃之间，将准备好的烧结组件放在加热台上烧结，烧结完成后再将烧结组件移到散热平台上，等待其自然冷却，最后再用酒精棉清理烧结组件。

3.根据权利要求2所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，在上述步骤S12和步骤S13中，所述芯片载体的型号为（Mo80Cu20），所述绝缘子的型号为（142-1000-002），所述焊锡膏的型号为SN63CR32，且所述焊锡膏的的温度为183℃。

4.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S2的具体操作过程如下：

S21：选取合适的芯片载体，清洗后再晾干，再利用50℃的酒精对其清洗，清洗完成后放在芯片载体周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；

S22：打开加热台，将温度调节到300℃，然后将共晶台放到热台上加热，一段时间后再将芯片载体放到共晶台上加热，粘取少量熔点为280℃的金焊锡膏放在芯片载体上，待一段时间锡膏熔化后，将裸芯片放大器、芯片电容放到芯片载体上；

S23：共晶完成后，将裸芯片放大器、芯片电容与芯片载体结合的共晶组件放入对应的周转盒内，依次将共晶台也取下，关闭加热台。

5.根据权利要求1所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，所述变频器加工步骤S3的具体操作过程如下：

S31：将腔体滤波器烧结组件用50℃的酒精清洗，清洗完成后放在烧结组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥；

S32：用点胶机在电路板焊盘处涂上焊锡膏，再将电容、电阻、混频器依次放在涂有焊锡膏的焊盘处，将点胶机设置为连续点胶模式；

S33：用点胶机将裸芯片放大器共晶组件下方的焊盘处均匀的涂上一层焊锡膏，同时相应的腔体位置也涂上均匀适量的焊锡膏，再将裸芯片放大器共晶组件放在腔体的相应位置，将点胶机设置为连续点胶模式；

S34：打开加热台，将温度调节到160℃，将烧结组件放在热台上加热烧结，一段时间后将完成的整个贴片组件取下至散热平台，等待其冷却；

S35：在滤波器腔体烧结组件的芯片载体上均匀的涂上导电胶，将MEMS滤波器取出，并且在其正反面上涂上适量的导电胶，再将MEMS滤波器粘接在芯片载体对应的位置上；

S36：在清洗机的清洗槽内放置适量的清洗剂，再将清洗机的温度打到50℃，再将上述腔体贴片组件放到汽相清洗机中，使贴片组件在清洗槽内热煮泡30分钟后，将贴片组件取出至贴片组件周转盒内，一段时间后等其自然冷却并干燥。

6.根据权利要求5所述的一种Ku频段上变频器腔体滤波器的制作方法，其特征在于，在上述步骤S22和步骤S23中，所述焊锡膏的型号为Sn43Pb43Bi14，且温度在140℃。