[发明专利]存储器模块及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201811580428.2 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN110109612B 公开(公告)日: 2022-07-12
发明(设计)人: 林璇渶;牛迪民;李宰坤 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 姜长星;张川绪
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 模块 及其 操作方法
【说明书】:

一种存储器模块及其操作方法。所述存储器模块包括:随机存取存储器装置,包括第一存储区域和第二存储区域;非易失性存储器装置;以及控制器,在主机的控制下控制随机存取存储器装置或非易失性存储器装置。控制器包括:数据缓冲器,暂时地存储从主机接收的第一数据;缓冲器返回单元,在第一数据从数据缓冲器移动到随机存取存储器装置的第一存储区域或第二存储区域时将第一释放信息发送到主机,并在第一数据从第二存储区域移动到非易失性存储器装置时将第二释放信息发送到主机。

本申请要求于2018年2月1日提交的第62/625,044号美国临时专利申请的权益以及于2018年2月19日提交的第10-2018-0019329号韩国专利申请的优先权,所述美国临时专利申请和韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

在此描述的发明构思的实施例涉及一种存储装置,更具体地讲,涉及一种存储器模块、存储器模块的操作方法以及主机的操作方法。

背景技术

半导体存储器装置被分类为易失性存储器装置(诸如,静态随机存取存储器(SRAM)、动态RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等)和非易失性存储器装置(诸如,只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存装置、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等),其中,易失性存储器装置在断电时丢失存储在其中的数据,非易失性存储器装置即使在断电时也会保持存储在其中的数据。

作为一种非易失性存储器装置,闪存凭借诸如大容量、低噪声、低功率等的优点被广泛用作存储装置。然而,随着在计算系统上处理的数据量增加,数据吞吐量变得大于与SSD装置连接的接口的数据带宽或通信速度,从而导致数据瓶颈。由于数据瓶颈导致计算系统的性能的降低,因此正在开发各种技术来改善性能。

发明内容

本发明构思的实施例提供一种由于主机管理存储器模块的资源而具有改进的性能的主机的操作方法、存储器模块的操作方法和存储器系统的操作方法。

根据一些示例实施例,一种存储器模块,包括:随机存取存储器(RAM)装置,包括第一存储区域和第二存储区域;非易失性存储器装置;控制器,在主机的控制下控制RAM装置或非易失性存储器装置。控制器包括:数据缓冲器,暂时地存储从主机接收的第一数据;缓冲器返回单元,在第一数据从数据缓冲器移动到RAM装置的第一存储区域或第二存储区域时将第一释放信息发送到主机,并在第一数据从第二存储区域移动到非易失性存储器装置时将第二释放信息发送到主机。

根据一些示例实施例,一种存储器模块,包括:随机存取存储器(RAM)装置;非易失性存储器装置;控制器,在主机的控制下,控制RAM装置和非易失性存储器装置。控制器包括:数据缓冲器,暂时地存储从主机接收的第一数据;缓冲器返回单元,在第一数据从数据缓冲器移动到RAM装置或非易失性存储器装置时,将第一释放信息发送到主机。

根据一些示例实施例,一种包括随机存取存储器(RAM)装置和非易失性存储器装置的存储器装置的操作方法,包括:从主机接收第一写入命令;接收与第一写入命令对应的第一数据并将接收的第一数据暂时地存储在数据缓冲器中;将第一数据从数据缓冲器移动到RAM装置;当第一数据从数据缓冲器移动到RAM装置时,将第一释放信息发送到主机;将第一数据从RAM装置移动到非易失性存储器装置;当第一数据从RAM装置移动到非易失性存储器装置时,将第二释放信息发送到主机。

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