[发明专利]包括导热层的半导体封装件在审

专利信息
申请号: 201811580748.8 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN110098162A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 金载春;朴佑炫;张彦铢;赵暎相 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/373;H01L23/31
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张晓;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 半导体芯片 导热层 再分布 半导体封装件 第一表面 第二表面 上布线层 侧表面 电连接 密封层 下布线层 有效表面
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件,所述半导体封装件包括:

第一半导体芯片,具有作为有效表面的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;

第一再分布部,设置在所述第一表面上,所述第一再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的下布线层;

导热层,设置在所述第一半导体芯片的所述第二表面上;

密封层,围绕所述第一半导体芯片的侧表面和所述导热层的侧表面;以及

第二再分布部,设置在密封层上,所述第二再分布部包括连接到所述导热层的第一上布线层,所述第二再分布部包括电连接到所述第一半导体芯片的第二上布线层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述导热层的所述侧表面与所述第一半导体芯片的所述侧表面共面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第二再分布部还包括设置在所述第一上布线层与所述导热层之间的上过孔,所述上过孔使所述第一上布线层和所述导热层连接。

4.根据权利要求3所述的半导体封装件,其中,所述导热层的上表面与所述上过孔和所述密封层接触。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述导热层的厚度小于所述第一半导体芯片的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括包含所述第一上布线层的一部分的虚设再分布部,所述部分是未施加电信号的虚设布线层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,接地信号被施加到所述第一上布线层。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,所述第一上布线层电连接到所述第二上布线层。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件,其中,相对于包括所述第一半导体芯片的所述第一表面的平面,所述第一上布线层和所述第二上布线层设置在相同高度水平处。

10.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括设置在所述第一半导体芯片与所述导热层之间的阻挡层,所述阻挡层包括金属。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括:具有贯穿孔的核心层,所述第一半导体芯片安装在所述贯穿孔内,

其中,所述密封层填充在所述第一半导体芯片与所述贯穿孔的侧壁之间。

12.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述导热层设置在所述贯穿孔中。

13.根据权利要求11所述的半导体封装件,其中,所述核心层包括穿透所述核心层的至少一部分的核心过孔并使所述第一再分布部和所述第二再分布部电连接。

14.根据权利要求13所述的半导体封装件,其中,所述核心层还包括电连接到所述核心过孔的核心布线层。

15.根据权利要求1所述的半导体封装件,所述半导体封装件还包括在平面图中与所述第一半导体芯片平行设置的第二半导体芯片,所述导热层在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片上设置为单个层。

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