[发明专利]降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法

权利要求书

1.一种降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：

Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，然后与过渡金属硫化物的两端进行表面接触，搭成NIN型肖特基场效应管或PIP型肖特基场效应管。

2.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述硅为Si(001),Si(110),Si(111)晶面。

3.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述过渡金属硫化物是MoS₂、MoSe₂、MoTe₂、WS₂、WSe₂或WTe₂。

4.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si的表面用氢元素或者氟元素进行钝化处理，是对Si的上下表面都进行钝化处理或者只对靠近界面的Si表面进行钝化处理。

5.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si钝化处理后进行重掺杂，掺杂浓度至少达到1×10²²e/cm³。

6.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si经氢元素钝化后，对Si进行电子掺杂。

7.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si经氟元素钝化后，对Si进行空穴掺杂。

8.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si表面经氢元素钝化处理后将Si进行电子掺杂作为电极，过渡金属硫化物作为沟道材料，其两侧和Si接触，形成NIN型肖特基场效应晶体管。

9.根据权利要求1所述的降低硅和过渡金属硫化物半导体肖特基势垒的界面处理方法，其特征是：所述Si表面经氟元素钝化处理后将Si进行空穴掺杂作为电极，过渡金属硫化物作为沟道材料，其两侧和Si接触，形成PIP型肖特基场效应晶体管。