[发明专利]晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法

权利要求书

1.一种晶圆刻蚀系统，其特征在于，包括：测量装置、刻蚀机和APC系统；

所述测量装置测量刻蚀前前层膜层厚度将测量结果实时发送至于APC系统，所述刻蚀机依据所述刻蚀前前层膜层厚度完成主刻蚀，所述测量装置测量刻蚀后当前层膜层厚度并将刻蚀后当前层膜层厚度反馈至APC系统，所述APC系统根据刻蚀前前层膜层厚度和刻蚀后当前层膜层厚度后的变化以及刻蚀机的刻蚀速率更新后续晶圆执行刻蚀的时间；

若刻蚀后当前层膜层厚度符合规定的膜层厚度范围则保持主刻蚀刻蚀速率和刻蚀时间；

若刻蚀后当前层膜层厚度不符合规定的膜层厚度范围则保持主刻蚀速率并更新刻蚀时间。

2.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：所述测量装置是Nova量测机。

3.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：当刻蚀机收到终点监测信号则所述主刻蚀完成。

4.如权利要求1晶圆刻蚀系统，其特征在于：所述膜层厚度是晶圆最外圈的膜层厚度。

5.一种晶圆刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)测量在刻蚀前晶圆前层膜层厚度；

2)根据晶圆前层膜层厚度设置主刻蚀刻蚀速率和刻蚀时间；

3)完成主刻蚀；

4)测量在刻蚀后当前层膜层厚度；

5)若刻蚀后当前层膜层厚度符合规定的膜层厚度范围则保持步骤2)中主刻蚀刻蚀速率和刻蚀时间；若刻蚀后当前层膜层厚度不符合规定的膜层厚度范围则保持步骤2)主刻蚀刻蚀速率并更新刻蚀时间。

6.如权利要求5晶圆刻蚀方法，其特征在于：所述测量膜层厚度采用Nova量测机。

7.如权利要求5晶圆刻蚀方法，其特征在于：当收到终点监测信号则判断主刻蚀完成。

8.如权利要求5晶圆刻蚀方法，其特征在于：所述膜层厚度是晶圆最外圈的膜层厚度。