[发明专利]一种有机X射线成像板在审
申请号: | 201811580790.X | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109671737A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
发明(设计)人: | 耿树范;郑岩;赵谡龄;张瑞君;刘洁;王锡树;何文;王露;戴江汇 | 申请(专利权)人: | 上海洞舟实业有限公司 |
主分类号: | H01L27/30 | 分类号: | H01L27/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201619 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 矩阵 光电传感器 荧光薄膜 薄膜 灵敏 薄膜层 像素 发光图像 配套电路 光电转换信号 强弱电信号 发光材料 发光灰度 收集处理 数字图像 保护层 隔离层 闪烁体 紧贴 | ||
一种有机X射线成像板,它是由1高灵敏荧光薄膜、2有机矩阵光电传感器薄膜、3TFT薄膜层、4隔离层、5保护层、配套电路组成;高灵敏荧光薄膜紧贴在有机矩阵光电传感器薄膜前面,高灵敏荧光薄膜含有闪烁体发光材料,高灵敏荧光薄膜能够在X射线照射下形成发光图像,高灵敏荧光薄膜发光图像能够带有更好的多种发光灰度,被有机矩阵光电传感器薄膜中的对应像素元感应产生光电转换信号,TFT薄膜层置于有机矩阵光电传感器薄膜后面,TFT薄膜层与有机矩阵光电传感器薄膜的像素元对应连接,矩阵的TFT层收集处理将像素元产生的强弱电信号,通过配套电路处理形成数字图像。
技术领域
本发明属医疗、工业、安检中X光成像技术领域。
背景技术
现有X光成像已经广泛用于医疗诊断的实时影像、大型安检成像等,现有成像传感器技术产品的结构主要是由:X光荧光板、无机半导体光传感元件、控制配套电路等组成,其中半导体光传感元件主要是非晶硅、非晶硒、CMOS、CCD等,这些的固态半导体器件形成复杂的矩阵感光像素平板,将荧光图像转为电信号,从而形成数字影像生成与存储。现有技术不足是上述无机半导体器件形成阵列具有复杂的工艺结构,不可弯曲,成像面积受到限制、像素较大、成本昂贵,器件体积较大等。中国专利:201016215901、2012103939402、2006100644606、2014103057586,美国专利US9735194、US5093576 揭示了现有技术制备原理与工艺。
本发明一种有机X射线成像板,它是由X射线激发发光的高灵敏荧光薄膜层、光电转换功能的有机矩阵光电传感器薄膜层、像素元信号收集处理传输的TFT薄膜层、X射线功能隔离层、防潮密封保护层、电信号处理数字图形生成的配套电路共同组成;当X射线源照射目标物体时,闪烁体发光材料产生发光,并被有机矩阵光电传感器薄膜及TFT薄膜层转换为电信号,通过连接配套电路形成实时的数字图像,传输到终端显示器并存储。
本发明可以用于医疗、工业、安检中X光成像技术领域,也可以用于便携式三维立体X光成像,中子成像、质子成像等。
发明内容
一种有机X射线成像板,它是由1高灵敏荧光薄膜、2有机矩阵光电传感器薄膜、3TFT薄膜层、4隔离层、5保护层、配套电路组成;高灵敏荧光薄膜紧贴在有机矩阵光电传感器薄膜前面,高灵敏荧光薄膜含有闪烁体发光材料,高灵敏荧光薄膜能够在X射线照射下形成发光图像,高灵敏荧光薄膜发光图像能够带有更好的多种发光灰度,被有机矩阵光电传感器薄膜中的对应像素元感应产生光电转换信号,TFT薄膜层置于有机矩阵光电传感器薄膜后面,TFT薄膜层与有机矩阵光电传感器薄膜的像素元对应连接,矩阵的TFT层收集处理将像素元产生的强弱电信号,通过配套电路处理形成数字图像。隔离层置于TFT薄膜层后面;高灵敏荧光薄膜、有机矩阵光电传感器薄膜、TFT薄膜层、隔离层共同被保护层密封形成柔性成像薄膜;TFT薄膜层通过6连接线与配套电路连接;当X射线源照射目标物体时,当X射线源照射目标物体时,闪烁体发光材料产生发光,并被有机矩阵光电传感器薄膜及TFT薄膜层转换为电信号,通过连接配套电路形成实时的数字图像,传输到终端显示器并存储。
本发明中的高灵敏荧光薄膜是由闪烁体发光材料与衬底薄膜构成;闪烁体材料是由X射线激发的粉末微晶发光材料构成;衬底薄膜是PET薄膜、碳纤维薄膜、金属薄膜中的一种;衬底薄膜薄膜表面镀有可见光增强层,闪烁体材料喷涂、印刷、压涂在柔性衬底薄膜表面。由于本发明使用的是有机矩阵光电转换传感原理,其对长波段波长接收响应灵敏,因此选择使用红色、绿色、近红外发光材料尤为重要,这不同于其它半导体感应器件对短波响应灵敏特征。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的