[发明专利]一种有机X射线成像板在审

专利信息
申请号: 201811580790.X 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN109671737A 公开(公告)日: 2019-04-23
发明(设计)人: 耿树范;郑岩;赵谡龄;张瑞君;刘洁;王锡树;何文;王露;戴江汇 申请(专利权)人: 上海洞舟实业有限公司
主分类号: H01L27/30 分类号: H01L27/30
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201619 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 矩阵 光电传感器 荧光薄膜 薄膜 灵敏 薄膜层 像素 发光图像 配套电路 光电转换信号 强弱电信号 发光材料 发光灰度 收集处理 数字图像 保护层 隔离层 闪烁体 紧贴
【说明书】:

一种有机X射线成像板,它是由1高灵敏荧光薄膜、2有机矩阵光电传感器薄膜、3TFT薄膜层、4隔离层、5保护层、配套电路组成;高灵敏荧光薄膜紧贴在有机矩阵光电传感器薄膜前面,高灵敏荧光薄膜含有闪烁体发光材料,高灵敏荧光薄膜能够在X射线照射下形成发光图像,高灵敏荧光薄膜发光图像能够带有更好的多种发光灰度,被有机矩阵光电传感器薄膜中的对应像素元感应产生光电转换信号,TFT薄膜层置于有机矩阵光电传感器薄膜后面,TFT薄膜层与有机矩阵光电传感器薄膜的像素元对应连接,矩阵的TFT层收集处理将像素元产生的强弱电信号,通过配套电路处理形成数字图像。

技术领域

本发明属医疗、工业、安检中X光成像技术领域。

背景技术

现有X光成像已经广泛用于医疗诊断的实时影像、大型安检成像等,现有成像传感器技术产品的结构主要是由:X光荧光板、无机半导体光传感元件、控制配套电路等组成,其中半导体光传感元件主要是非晶硅、非晶硒、CMOS、CCD等,这些的固态半导体器件形成复杂的矩阵感光像素平板,将荧光图像转为电信号,从而形成数字影像生成与存储。现有技术不足是上述无机半导体器件形成阵列具有复杂的工艺结构,不可弯曲,成像面积受到限制、像素较大、成本昂贵,器件体积较大等。中国专利:201016215901、2012103939402、2006100644606、2014103057586,美国专利US9735194、US5093576 揭示了现有技术制备原理与工艺。

本发明一种有机X射线成像板,它是由X射线激发发光的高灵敏荧光薄膜层、光电转换功能的有机矩阵光电传感器薄膜层、像素元信号收集处理传输的TFT薄膜层、X射线功能隔离层、防潮密封保护层、电信号处理数字图形生成的配套电路共同组成;当X射线源照射目标物体时,闪烁体发光材料产生发光,并被有机矩阵光电传感器薄膜及TFT薄膜层转换为电信号,通过连接配套电路形成实时的数字图像,传输到终端显示器并存储。

本发明可以用于医疗、工业、安检中X光成像技术领域,也可以用于便携式三维立体X光成像,中子成像、质子成像等。

发明内容

一种有机X射线成像板,它是由1高灵敏荧光薄膜、2有机矩阵光电传感器薄膜、3TFT薄膜层、4隔离层、5保护层、配套电路组成;高灵敏荧光薄膜紧贴在有机矩阵光电传感器薄膜前面,高灵敏荧光薄膜含有闪烁体发光材料,高灵敏荧光薄膜能够在X射线照射下形成发光图像,高灵敏荧光薄膜发光图像能够带有更好的多种发光灰度,被有机矩阵光电传感器薄膜中的对应像素元感应产生光电转换信号,TFT薄膜层置于有机矩阵光电传感器薄膜后面,TFT薄膜层与有机矩阵光电传感器薄膜的像素元对应连接,矩阵的TFT层收集处理将像素元产生的强弱电信号,通过配套电路处理形成数字图像。隔离层置于TFT薄膜层后面;高灵敏荧光薄膜、有机矩阵光电传感器薄膜、TFT薄膜层、隔离层共同被保护层密封形成柔性成像薄膜;TFT薄膜层通过6连接线与配套电路连接;当X射线源照射目标物体时,当X射线源照射目标物体时,闪烁体发光材料产生发光,并被有机矩阵光电传感器薄膜及TFT薄膜层转换为电信号,通过连接配套电路形成实时的数字图像,传输到终端显示器并存储。

本发明中的高灵敏荧光薄膜是由闪烁体发光材料与衬底薄膜构成;闪烁体材料是由X射线激发的粉末微晶发光材料构成;衬底薄膜是PET薄膜、碳纤维薄膜、金属薄膜中的一种;衬底薄膜薄膜表面镀有可见光增强层,闪烁体材料喷涂、印刷、压涂在柔性衬底薄膜表面。由于本发明使用的是有机矩阵光电转换传感原理,其对长波段波长接收响应灵敏,因此选择使用红色、绿色、近红外发光材料尤为重要,这不同于其它半导体感应器件对短波响应灵敏特征。

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