[发明专利]研磨垫

说明书

本发明提供一种具有高研磨速率、且可获得高平坦性(边缘倒圆少)优异的被研磨物的研磨垫及其用氨基甲酸酯树脂组合物。本发明使用的研磨垫，其为含有包含氨基甲酸酯预聚物(A)的主剂(i)、与硬化剂(ii)的氨基甲酸酯树脂组合物的硬化物，氨基甲酸酯预聚物(A)是含有包含分子量为300以上的多元醇(a1)及分子量未满300的短链二醇(a2)的多元醇成分(a)与聚异氰酸酯(b)的组合物的反应后的生成物，且在末端具有异氰酸酯基，多元醇成分(a)包含40质量％以上且90质量％以下的聚四亚甲基二醇以及1质量％以上的短链二醇(a2)，所述硬化物在120℃以上且200℃以下的范围中具有tanδ的峰值，且所述120℃以上且200℃以下的范围中的tanδ的峰值为0.18以上。

技术领域

本发明涉及一种研磨垫及研磨垫用氨基甲酸酯树脂组合物。

背景技术

本发明特别涉及一种可优选地用于光学透镜、玻璃基板、硅晶片、半导体器件等的研磨中的研磨垫、研磨垫的制造方法及研磨方法。

光学透镜、液晶显示器(liquid crystal display，LCD)用玻璃基板、硬盘(硬盘驱动器(hard disk drive，HDD))用玻璃基板、硅晶片、半导体器件等中要求高水平的研磨效率或非刮伤性。

特别是在所述半导体器件中，随着半导体电路的集成度急剧增大，不断推进以高密度化为目的的微细化或多层配线化，并要求加工面的进而更高水平的表面平坦性且高研磨效率。另外，在所述液晶显示器用玻璃基板中，伴随液晶显示器的大型化，也要求加工面的更高水平的表面平坦性且高研磨效率。如此加工面的表面平坦性的要求实现高水平化，进而研磨加工中的研磨效率等要求性能进一步提高。

因此，在光学透镜或半导体器件或LCD的制造工艺中，作为可形成具有优异的平坦性的表面的研磨方法，广泛采用化学机械研磨法，所谓的CMP(Chemical MechanicalPolishing)法。

在所述CMP法中，通常采用在研磨加工时供给使研磨粒(研磨粒子)分散于碱性溶液或酸溶液中的浆料(研磨液)来进行研磨的游离研磨粒方式。即，被研磨物(的加工面)利用浆料中的研磨粒的机械作用、与碱性溶液或酸溶液的化学作用而进行平坦化。此处，伴随对加工面要求的平坦性的高水平化，CMP法所要求的研磨精度或研磨效率等研磨性能、具体为高研磨速率、非刮伤性、高平坦性的要求提高。作为使用所述CMP法的游离研磨粒方式的研磨垫，例如提出一种通过控制硬度或磨损或松弛时间或弹性系数等特定的参数而难以产生刮伤的研磨速度大的研磨垫(参照专利文献1、专利文献2)。

另外，例如具有乙二醇单苯基醚等特定组成的氨基甲酸酯研磨垫的修整(dressing)性(剪切速率)优异(参照专利文献3)。另外，例如利用所使用的原料的聚酯系多元醇与聚醚系多元醇的相容性而形成宏观相分离结构的氨基甲酸酯研磨垫的研磨速度大且稳定性优异(参照专利文献4、专利文献5)。

另外，例如对特定的气泡直径或储存弹性系数规定了原料组成的研磨垫的研磨速度大，磨合期(break in time)优异(参照专利文献6)。

像所述那样，自产业界强烈要求一种满足高精密研磨所要求的高水平化的高研磨速率、低刮伤性、及高平坦性的研磨垫，并进行各种尝试，但实际情况是仍未发现。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本专利特开2014-111296号公报

专利文献2日本专利5710353号公报

专利文献3日本专利5738731号广报

专利文献4日本专利5623927号公报

专利文献5日本专利5623927号广报

专利文献6日本专利5393434号广报

发明内容