[发明专利]一种超薄滤光片薄膜制备方法在审
申请号: | 201811581474.4 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109576647A | 公开(公告)日: | 2019-04-05 |
发明(设计)人: | 刘凌松;陈国彦;周培;罗国星 | 申请(专利权)人: | 深圳正和捷思科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;C23C14/02;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/58 |
代理公司: | 中山市兴华粤专利代理有限公司 44345 | 代理人: | 林少波 |
地址: | 518117 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄滤光片 薄膜制备 膜系结构 光学薄膜技术领域 预处理 薄膜基片 薄膜结构 薄膜制作 玻璃基板 玻璃基片 厚度结构 清洗烘干 有效释放 变形量 镀膜 镀制 可用 卸载 装夹 破碎 冷却 制作 | ||
1.一种超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:包括如下步骤:
S1、玻璃基板预处理:对玻璃基板进行研磨加工,形成厚度为0.15mm的玻璃基片;
S2、清洗烘干处理:将玻璃基片进行超声除油除尘清洗处理,然后进行烘干;
S3、基片装夹:将清洗烘干后的玻璃基片装载至镀膜治具;
S4、镀膜:将上述镀膜治具装载至镀膜机进行蒸发镀膜,靶材为钽和硅,并使用离子源轰击气体分子,沉积得到具有新型膜系结构的超薄滤光片薄膜;所述新型膜系结构为:(HL)^n,其中,n为新型膜系结构的匹配系数,H为五氧化二钽(Ta2O5)介质层,L为二氧化硅(SiO2)介质层;
所述新型膜系结构的结构如下:
S5、冷却及卸载:将玻璃基片冷却后从镀膜治具取出卸载。
2.根据权利要求1所述的超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:所述步骤S4中,镀制每一层五氧化二钽介质层或二氧化硅介质层后,进行退火处理及老化处理;所述退火处理的操作为在每层介质层镀制结束后进行自然冷却,冷却时间为2分钟;所述老化处理的操作为在每层介质层镀制结束后进行2次反复的快速降温和升温操作,每次操作时间为2分钟。
3.根据权利要求1所述的超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:步骤S4中,镀制每一层五氧化二钽介质层时,沉积气压为1.5E-2Pa,沉积速率为镀制每一层二氧化硅介质层时,沉积气压为1.0E-4Pa,沉积速率为
4.根据权利要求1所述的超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:步骤S4中,离子源的工作功率为1.0~1.1KW。
5.根据权利要求1所述的超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:镀膜机内离子源及电子枪设有挡板,且挡板均使用水冷式挡板。
6.根据权利要求1所述的超薄滤光片薄膜制作方法,其特征在于:步骤S5中,对玻璃基片在镀膜机的腔体内进行1小时的自然冷却,当玻璃基片达到常温时取出卸载。
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