[发明专利]改善硅针孔缺陷的方法在审
| 申请号： | 201811581482.9 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698126A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 谢玟茜 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 针孔缺陷 等离子体 氢等离子体 工艺过程 光阻去除 微氧环境 高纯氢 微氧 | ||
【权利要求书】：
1.一种改善硅针孔缺陷的方法，其特征在于：在IMP光阻去除工艺过程中，采用H2O等离子体，或者在高纯氢等离子体中添加微氧，利用微氧环境抑制氢等离子体进入硅结构内部将离子注入后的不稳定键结破坏，产生晶格缺陷，避免硅针孔缺陷发生。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：添加微氧时，在等离子体腔体内的操作温度为200～290℃。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述高纯氢是指大于4％H2。
4.如权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于：所述添加微氧，是指添加带氧基的氧离子源作为等离子体添加气体，包括：氮氧化合物、H2O、O3、NH4OH、D2O。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述添加微氧的气体源为气态源。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：所述添加微氧的气体为固态源或液态源，进行挥发后作为氧离子源。
7.如权利要求1至3任一所述的方法，其特征在于：所述微氧环境是指氧含量小于18％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
