[发明专利]一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲层，形成于所述衬底上；

半导体层，形成于所述缓冲层上，所述半导体层包括源极区、漏极区以及沟道区，所述沟道区设置于所述源极区与所述漏极区之间；

栅极绝缘层，形成于所述半导体层对应所述沟道区的位置上；

栅极金属层，形成于所述栅极绝缘层上；

介质层，覆盖在所述缓冲层、半导体层以及栅极金属层上，与所述源极区和所述漏极区对应的所述介质层分别包括过孔；所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔与所述源极区或所述漏极区连接；所述第二过孔位于所述第一过孔的顶部，与所述第一过孔连通；所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔同轴心。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔均为圆柱形的孔。

4.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔的孔径从所述源极区或所述漏极区往所述第一过孔的顶部逐渐增大，所述第二过孔的孔径从所述第一过孔的顶部往所述第二过孔的顶部逐渐增大。

5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括源极、漏极以及钝化层，所述源极和所述漏极分别通过所述过孔与所述源极区和漏极区连接，所述钝化层覆盖所述源极、漏极以及介质层。

6.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一衬底，在所述衬底上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成半导体层，所述半导体层包括源极区、漏极区以及沟道区，所述沟道区设置于所述源极区与所述漏极区之间；

在所述半导体层上沟道区对应位置形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成栅极金属层；

在所述栅极金属层表面、所述半导体层表面及所述缓冲层表面沉积介质层；

在所述介质层上形成分别对应于所述源极区与所述漏极区的过孔，所述过孔包括第一过孔和第二过孔，所述第一过孔与所述源极区或所述漏极区连接，所述第二过孔位于所述第一过孔的顶部，与所述第一过孔连通，所述第二过孔的孔径大于所述第一过孔的孔径。

7.如权利要求6所述的显示面板的制造方法，其特征在于，在所述介质层上形成分别对应于所述源极与所述漏极的过孔，具体步骤包括：

在所述介质层上形成光阻层，进行第一次刻蚀，分别形成光阻孔、与所述源极区和漏极区连接的过孔；

将光阻层灰化处理，使所述光阻孔的孔径大于所述过孔的孔径；

按照所述光阻孔的孔径对所述介质层进行第二次刻蚀，蚀刻深度小于所述介质层厚度，形成第一过孔与第二过孔。

8.如权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括步骤：

通过灰化处理去掉所述光阻层；

在所述过孔内沉积金属，形成与所述源极区连接的源极以及与所述漏极区连接的漏极；

在所述源极、漏极以及介质层上形成钝化层。

9.如权利要求7所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一过孔与所述第二过孔同轴心；所述第一过孔的孔径从所述源极区或所述漏极区往所述第一过孔的顶部逐渐增大，所述第二过孔的孔径从所述第一过孔的顶部往所述第二过孔的顶部逐渐增大。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至5任意一项所述的显示面板。