[发明专利]沿发射器通道的阻抗补偿

权利要求书

1.一种垂直腔表面发射激光器阵列，即VCSEL阵列，包括：

多个VCSEL；和

金属化层，电连接多个VCSEL，

其中金属化层具有第一端和第二端，

其中多个VCSEL包括第一VCSEL和第二VCSEL，

其中第一VCSEL定位为比第二VCSEL更靠近第一端，

其中在金属化层被供电时，根据第一VCSEL的第一电阻抗与第二VCSEL的第二电阻抗的差异，第一VCSEL的第一结构与第二VCSEL的第二结构不同。

2.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中第一VCSEL的第一电流局限孔相对于第二VCSEL的第二电流局限孔具有较小直径，

其中第一电流局限孔是所述第一结构且第二电流局限孔是所述第二结构。

3.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中第一VCSEL的第一接触部比第二VCSEL的第二接触部窄，

其中第一接触部是所述第一结构且第二接触部是所述第二结构。

4.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中第一VCSEL的第一植入绝缘材料比第二VCSEL的第二植入绝缘材料更宽，

其中第一植入绝缘材料是所述第一结构且第二植入绝缘材料是所述第二结构。

5.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中第一VCSEL的第一输入功率和第二VCSEL的第二输入功率之间的差满足临界值。

6.如权利要求1所述的VCSEL阵列，其中第一VCSEL的第一电阻和第二VCSEL的第二电阻之间的差满足临界值。

7.如权利要求1所述的VCSEL阵列，进一步包括：

激光驱动器，电连接到金属化层的第一端，

其中激光驱动器配置为对第一VCSEL和第二VCSEL供电。

8.一种发射器阵列，包括：

多个发射器；和

金属化层，电连接多个发射器，

其中金属化层具有第一端和第二端，

其中多个发射器包括第一发射器和第二发射器，

其中第一发射器定位为比第二发射器更靠近第一端，

其中第一发射器和第二发射器具有不同尺寸的结构，以对第一端和第一发射器之间的金属化层的第一阻抗以及第一端和第二发射器之间的第二阻抗进行补偿。

9.如权利要求8所述的发射器阵列，其中第一发射器和第二发射器相对于彼此具有不同尺寸的电流局限孔，以作为所述不同尺寸的结构。

10.如权利要求8所述的发射器阵列，其中第一发射器和第二发射器相对于彼此具有不同尺寸的P型欧姆接触部，以作为所述不同尺寸的结构。。

11.如权利要求8所述的发射器阵列，其中第一发射器和第二发射器相对于彼此具有不同尺寸的植入绝缘材料，以作为所述不同尺寸的结构。

12.如权利要求8所述的发射器阵列，其中第一发射器和第二发射器基于所述不同大小的结构在彼此的临界量内发射一定量的光。

13.如权利要求8所述的发射器阵列，其中第一发射器的第一结构对第一阻抗进行补偿。

14.如权利要求13所述的发射器阵列，其中第二发射器的第二结构对第二阻抗进行补偿，

其中第一发射器和第二发射器基于第一结构和第二结构接收相同的功率量，

其中第一结构和第二结构是所述不同尺寸的结构。