[发明专利]一种温漂修调电路

说明书

本发明公开一种温漂修调电路，属于补偿电路技术领域。所述温漂修调电路包括：电阻R2a和电阻R2b，所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联；三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极相连接；所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联后电阻R2a连接至所述三极管Q4的集电极，电阻R2b连接至所述三极管Q4的发射极。该温漂修调电路仅需修调一组电阻即可实现修调，修调方式大大简化，避免了采用电阻修调矩阵网络带来的应用局限性；在进行电路版图设计时只需考虑R2a电阻的匹配性设计，版图设计难度降低。

技术领域

本发明涉及补偿电路技术领域，特别涉及一种用于二阶曲率补偿基准源的温漂修调电路。

背景技术

随着电源管理产品需求的不断增长，对电源输出精度的要求在持续提高。典型的一阶带隙基准源不再能够满足大量高性能电源系统的要求，因此就需要二阶校正基准源。

目前二阶基准源电路通常采用曲率校正的概念来补偿二极管的非线性负温度系数，其结构如图1所示。在图1中，三极管Q1、三极管Q2与电阻R1产生PTAT电流分量；三极管Q1、电阻R2a、电阻R2b还有三极管Q2、电阻R1、电阻R2a、电阻R2b分别产生CTAT电流分量；四个NMOS管M1、M2、M3、M4用于电流镜镜像；放大器AMP保证其两输入端的电压V_BE，Q1与V_BE，Q2+I_PTAT*R₁精确相等；电阻R3与三极管Q3用于曲率补偿；电阻R4决定输出电压。

流过三极管Q3的是PTAT+CTAT电流，流过三极管Q1、Q2的是PTAT电流，所以电阻R3上的电压是PTAT+CTAT电流偏置产生的V_BE减去PTAT电流偏置产生的V_BE，得到一个曲率校正电压，电压大小为：

其中，V_NL是电阻R3两端的电压，V_BEQ3(T)是三极管Q3基极到地的二极管电压，V_BEQ1,2(T)是三极管Q1和Q2基极到地的二极管电压，η是二极管器件参数，约为4，V_T是物理常量热电压，T是温度，T₀是常温(即25℃)。

现有的补偿技术搭建两套补偿电阻，分别修调R3与R2a来修正Q3与Q1、Q2二极管电压温漂曲率开口，最终实现对整个基准温漂的修调。每组补偿网络结构见图2，通过外部熔丝修调。这种修调方式虽然可以达到修调温漂的目的，但是电阻修调网络类似一个矩阵，R2b与R3的多种组合都有相似的温漂特性，导致修调过程需要反复迭代和优化。这将导致整个基准的修调成本大幅增加，因此这种修调方式应用场合比较有限。

发明内容

本发明的目的在于提供一种温漂修调电路，以解决现有的温漂调修难度大、成本高的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种温漂修调电路，用于二阶曲率补偿基准源中，所述温漂修调电路包括：

电阻R2a和电阻R2b，所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联；

三极管Q4和三极管Q5，所述三极管Q4的基极和所述三极管Q5的基极相连接；所述电阻R2a和所述电阻R2b相串联后电阻R2a连接至所述三极管Q4的集电极，电阻R2b连接至所述三极管Q4的发射极。

可选的，所述温漂修调电路还包括PMOS管M5，所述PMOS管M5的栅极分别与所述二阶曲率补偿基准源中的PMOS管M3的栅极和PMOS管M4的栅极连接；所述PMOS管M5的漏极连接所述三极管Q4的集电极；所述PMOS管M5的源极接电源VDD。

可选的，所述三极管Q4和所述三极管Q5的镜像比例为大于1。

可选的，所述三极管Q4的集电极与其基极互连。