[发明专利]有机发光二极管有效
申请号: | 201811582406.X | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN110010781B | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 尹丞希;金重根;申智徹;徐正大;刘璇根;尹俊;洪玩杓;尹胄镛 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司;株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 | ||
1.一种有机发光二极管,包括:
插置在阳极和阴极之间且包括至少一个发光材料层的至少两个发光叠层;以及
插置在所述发光叠层之间的电荷生成层,
其中,所述电荷生成层包括N-型电荷生成层和P-型电荷生成层,所述N-型电荷生成层和所述P-型电荷生成层以如下方向进行堆叠:所述N-型电荷生成层面对所述阳极,且所述P-型电荷生成层面对所述阴极,
其中,所述N-型电荷生成层包括式1表示的化合物,并且
其中,所述P-型电荷生成层包括选自由式2表示的化合物、式3表示的化合物、以及这些化合物的组合组成的群组中的一种:
[式1]
其中,
X是NR5、CR6R7、S、O、或Se;
R5是氢;氘;卤素;-P(=O)R8R9;取代的或未取代的C6至C60的单环或多环芳基;取代的或未取代的C2至C60的单环或多环杂芳基;或者被取代的或未取代的C1至C20的烷基、取代的或未取代的C6至C60的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C2至C60的单环或多环杂芳基取代的或未取代的氨基;
R6、R7、R8和R9各自独立地是氢、取代的或未取代的C1至C60的直链或支链烷基、取代的或未取代的C3至C60的单环或多环环烷基、取代的或未取代的C6至C60的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C2至C60的单环或多环杂芳基;
L1选自由取代的或未取代的C5至C60的单环或多环芳撑基、取代的或未取代的C2至C60的单环或多环杂芳撑基、取代的或未取代的C1至C60的直链或支链烷撑基、取代的或未取代的二价氨基、以及这些基团的组合组成的群组;
L2选自由氢、取代的或未取代的C1至C60的直链或支链烷基、取代的或未取代的C3至C60的单环或多环环烷基、取代的或未取代的C6至C60的单环或多环芳基、或者取代的或未取代的C2至C60的单环或多环杂芳基组成的群组;
R1和R2各自独立地选自由氢、取代的或未取代的C1至C60的直链或支链烷基、取代的或未取代的氨基、以及这些基团的组合组成的群组,或者R1和R2彼此连接以形成稠环;
R3和R4各自独立地选自由氢、取代的或未取代的C1至C60直链或支链烷基、取代的或未取代的氨基、以及这些基团的组合组成的群组,或者R3和R4彼此连接以形成稠环;
当R1和R3并未分别与R3和R4一起形成稠环时,R2与R4一起形成或未形成稠环;
通过R1与R2之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C6至C60的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C2至C60的杂芳基,所述稠环的至少一个氢原子被取代;
通过R2与R3之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C6至C60的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C2至C60的杂芳基,所述稠环的至少一个氢原子被取代;并且
通过R3与R4之间的连接而形成的稠环是取代的或未取代的单环或多环C6至C60的芳基、或者取代的或未取代的单环或多环C2至C60的杂芳基,所述稠环的至少一个氢原子被取代,
如上定义的杂芳基和杂芳撑基包括选自由N、O、S、Si及其组合组成的群组中的至少一个杂原子;
[式2]
[式3]
其中R1至R6各自独立地是氢、取代的或未取代的C6至C12的芳基、取代的或未取代的C2至C12的杂芳基、取代的或未取代的C1至C12的烷基、取代的或未取代的C1至C12的烷氧基、取代的或未取代C1至C12的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基、或三甲基硅基,R1至R6中的至少一个包括氰基;
Z1和Z2各自独立地由式4表示:
[式4]
其中A和B各自独立的是选自氢、取代的或未取代的C6至C12的芳基、C3至C12的杂芳基、C1至C12的烷基、C1至C12的烷氧基、C1至C12的醚基、氰基、氟基、三氟甲基、三氟甲氧基、以及三甲基硅基中的任一种;并且
式2和式3中的取代基互相独立地进行选择。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择