[发明专利]多层-多球磁定位式齿距样板及其磁力设计方法有效
申请号: | 201811583330.2 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN109365924B | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 周森;颜宇;徐健;陶磊;冯杰 | 申请(专利权)人: | 重庆市计量质量检测研究院 |
主分类号: | B23F23/00 | 分类号: | B23F23/00 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 黄河 |
地址: | 401121*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 定位孔 齿距 定心圆柱 磁力 定位式 基平面 样板 圆锥 圆球 多层 球磁 虚拟齿轮 检测球 磁定位装置 放置检测 含铁材料 间隔环形 水平投影 相关参数 圆形曲线 分度圆 开口端 中心点 齿数 倒角 孔数 两层 吸合 组装 测量 | ||
1.一种多层-多球磁定位式齿距样板,其特征在于:包括以上表面为基平面的基座,基平面上开有用于放置并定位定心圆柱/圆球/圆锥的凹槽;基平面上围绕定心圆柱/圆球/圆锥的中心从内向外依次间隔环形分布有至少两层定位孔;每层定位孔上各定位孔的中心均位于在基平面内以定心圆柱/圆球/圆锥的中心点的水平投影为中心,以虚拟齿轮的分度圆的半径为半径的圆形曲线上;每层定位孔的孔数与相应虚拟齿轮的齿数一致;所述定位孔的开口端设有用于放置检测球的倒角α;所述检测球与定心圆柱/圆球/圆锥均采用含铁材料制成;所述基座内设有用于将检测球吸合固定在基座上的磁定位装置。
2.根据权利1所述的多层-多球磁定位式齿距样板,其特征在于:所述磁定位装置包括设置在定心圆柱/圆球/圆锥正下方的中心磁柱与在每个定位孔正下方的子磁柱。
3.根据权利2所述的多层-多球磁定位式齿距样板,其特征在于:所述中心磁柱与子磁柱均为电磁铁;所述基座内设有为中心磁柱与子磁柱供电的直流电源,将与同一层定位孔对应的子磁柱划分为同一组,从内向外分别为第1组、第2组……第n组;同组子磁柱串联连接,并且中心磁柱与第n组子磁柱串联,从而形成相应的磁柱层;各层磁柱并联后连接在直流电源上。
4.根据权利3所述的多层-多球磁定位式齿距样板,其特征在于:各层磁柱还分别串联有对应的限流电阻;第i层磁柱对应第i个限流电阻,并且第i个限流电阻的阻值大于第i+1个限流电阻,i∈{1,2,......,n}。
5.根据权利4所述的多层-多球磁定位式齿距样板,其特征在于:所述限流电阻采用可调变阻器。
6.一种如权利要求4或5所述的多层-多球磁定位式齿距样板的磁力设计方法,其特征在于:所述中心磁柱与子磁柱的磁芯均采用稀土磁性材料制成,稀土磁性材料具有电场与磁场线性增大或减小的变化特性;包括以下步骤:
步骤101:获取齿轮测量仪器探针在水平面上的水平探触力Fm;
步骤102:根据水平探触力Fm确定检测球在满足探针水平探触下保持平衡的磁力范围,按如下公式:
其中,Fp表示检测球受到的磁力;α表示定位孔的倒角;Gs表示检测球的重力;
步骤103:根据检测球的磁力Fp计算各层磁柱中单个子磁柱的电流,其中,第i层子磁柱中单个子磁柱的电流Ii满足以下公式:
其中,rs为检测球的半径,各层检测球的半径相同;N为子磁柱的线圈匝数;ls为子磁柱的高度;xi为第i层检测球距离定心圆柱/圆球/圆锥中心线的垂直距离;
步骤104:根据各层磁柱中单个子磁柱的电流计算单个子磁柱的电压,其中,第i层磁柱中单个子磁柱的电压U′i=IiR′i,R′i为第i层磁柱中单个子磁柱的电阻;
步骤105:计算各层磁柱对应的限流电阻的电压,其中,第i层磁柱对应的限流电阻的电压Ui=U-miU′i,i≠n;当i=n时,Un=U-miU′n-InR0;U为直流电源电压,mi为第i层子磁柱中单个子磁柱的数量,R0为中心磁柱的电阻;
步骤106:计算各层磁柱对应的限流电阻的阻值,其中,第i层限流电阻的阻值
7.一种如权利要求4或5所述的多层-多球磁定位式齿距样板的磁力设计方法,其特征在于:所述中心磁柱与子磁柱的磁芯均采用稀土磁性材料制成,稀土磁性材料具有电场与磁场线性增大或减小的变化特性;包括以下步骤:
步骤201:获取齿轮测量仪器探针在水平面上的水平探触力Fm;
步骤202:根据水平探触力Fm确定检测球在满足探针水平探触下保持平衡的磁力范围,按如下公式:
其中,Fp表示检测球受到的磁力;α表示定位孔的倒角;Gs表示检测球的重力;
步骤203:根据检测球的磁力Fp计算任意一层磁柱中单个子磁柱的电流,其中,第i层子磁柱中单个子磁柱的电流Ii满足以下公式:
其中,rs为检测球的半径,各层检测球的半径相同;N为子磁柱的线圈匝数;ls为子磁柱的高度;xi为第i层检测球距离定心圆柱/圆球/圆锥中心线的垂直距离;
步骤204:计算第i层磁柱对应的限流电阻的电压:其中,第i层磁柱对应的限流电阻的电压Ui=U-miU′i,i≠n;当i=n时,Un=U-miU′n-InR0;U为直流电源电压,mi为第i层子磁柱中单个子磁柱的数量,R0为中心磁柱的电阻;
步骤205:计算第i层磁柱对应的限流电阻的阻值
步骤206:根据各层检测球所受磁力基本相同的要求,计算其余各限流电阻的阻值,其中,第j个限流电阻的阻值Rj满足以下公式:
其中,j≠i,j∈{1,2,......,n};mi为第i层子磁柱中单个子磁柱的数量;mj为第j层子磁柱中单个子磁柱的数量;R′为单个子磁柱的电阻,各子磁柱的电阻相同;xi、xj为第i、j层检测球距离定心圆柱/圆球/圆锥中心线的垂直距离;ls为子磁柱的高度,各子磁柱高度相同。
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