[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一半导体层，形成在衬底之上、并且包括第一导电类型的杂质；

第二半导体层，形成在所述第一半导体层之上；

第三半导体层，形成在所述第二半导体层内，所述第三半导体层是所述第二半导体层的一部分、并且包括第二导电类型的杂质，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第四半导体层，形成在所述第三半导体层之上，所述第四半导体层由与所述第二半导体层的材料不同的材料组成；

第一化合物层，形成在所述第四半导体层内，所述第一化合物层是第一金属与被包括在所述第四半导体层中的所述材料的反应产物；以及

第一插塞，形成在所述第一化合物层之上，所述第一插塞穿过所述第一化合物层而被电耦合到所述第三半导体层，

其中所述第一半导体层、所述第二半导体层和所述第三半导体层分别配置光接收器的一部分，以及

其中所述第一金属与被包括在所述第三半导体层中的所述材料的反应产物未形成在所述第三半导体层内。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一化合物层的底表面位于所述第四半导体层内，使得所述第一化合物层的所述底表面未到达所述第三半导体层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一化合物层与所述第三半导体层直接接触。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中第二化合物层形成在所述第一半导体层内，所述第二化合物层是所述第一金属或第二金属与被包括在所述第一半导体层中的所述材料的反应产物，所述第二金属为不同的材料，

其中穿过所述第二化合物层而被电耦合到所述第一半导体层的第二插塞形成在所述第二化合物层之上，以及

其中所述第二化合物层的厚度大于所述第一化合物层的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一插塞具有第一阻挡金属膜以及第一导电膜，所述第一阻挡金属膜包括所述第一金属，以及

其中所述第一化合物层是被包括在所述第一阻挡金属膜中的所述第一金属与被包括在所述第四半导体层中的所述材料的反应产物。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中所述第一金属是钛，

其中所述第四半导体层包括硅，以及

其中所述第一化合物层由硅化钛组成。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一插塞具有第一阻挡金属膜以及第一导电膜，所述第一阻挡金属膜包括第三金属，以及

其中所述第一金属是与所述第三金属的材料不同的材料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，

其中所述第一金属是钴、镍或铂，

其中所述第四半导体层包括硅，以及

其中所述第一化合物层由硅化钴、硅化镍或硅化铂组成。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中所述第一导电类型是p型，

其中所述第二导电类型是n型，

其中所述第二半导体层由锗组成，所述锗是本征半导体、或者杂质浓度小于1×10¹⁷/cm³的p型半导体或n型半导体，以及

其中所述光接收器是pin结结构。