[发明专利]一种量子点的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811583541.6 申请日: 2018-12-24
公开(公告)号: CN111349436A 公开(公告)日: 2020-06-30
发明(设计)人: 聂志文;杨一行 申请(专利权)人: TCL集团股份有限公司
主分类号: C09K11/70 分类号: C09K11/70;B82Y30/00;B82Y20/00
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 量子 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括步骤:

提供阴离子前驱体溶液,所述阴离子前驱体溶液包括V族前驱体、第一配位溶剂和介孔材料,所述V族前驱体包括P前驱体;

提供阳离子前驱体溶液,所述阳离子前驱体溶液包括III族前驱体,所述III族前驱体包括In前驱体;

将所述阴离子前驱体溶液和所述阳离子前驱体溶液混合,在所述介孔材料的孔道中进行量子点晶体生长;

加入脱附剂,得到所述量子点。

2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,得到所述量子点之后,还包括步骤:

在所述量子点表面形成壳层的步骤。

3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体溶液还包括Zn前驱体。

4.根据权利要求3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体溶液中的阳离子前驱体为In前驱体、Ga前驱体和Zn前驱体;和/或,

所述阴离子前驱体溶液中的阴离子前驱体为P前驱体。

5.根据权利要求3或4所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述壳层为ZnS、ZnSe或ZnSSe。

6.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述第一配位溶剂选自油酸、链长C1~C20饱和脂肪酸、C6~C22烷基取代的膦、C6~C22烷基取代的膦氧化物、C6~C22伯胺、C1~C22仲胺和C3~C40叔胺中的一种或多种;和/或,所述P前驱体选自三(三甲硅烷基)磷、三(二甲胺基)磷、三(二乙胺基)磷、二苯基膦、二乙氨基磷、P4和PH3中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述介孔材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钙、氟化钙和金属有机骨架中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述介孔材料的孔径大小为2~5 nm。

9.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,在温度250~310℃条件下,在所述介孔材料的孔道中进行量子点晶体生长。

10.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述脱附剂选自无水乙醇、乙酸乙酯、氯仿、丙酮和甲醇中的一种或多种。

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