[发明专利]一种量子点的制备方法在审
申请号: | 201811583541.6 | 申请日: | 2018-12-24 |
公开(公告)号: | CN111349436A | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 聂志文;杨一行 | 申请(专利权)人: | TCL集团股份有限公司 |
主分类号: | C09K11/70 | 分类号: | C09K11/70;B82Y30/00;B82Y20/00 |
代理公司: | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;刘文求 |
地址: | 516006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 制备 方法 | ||
1.一种量子点的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供阴离子前驱体溶液,所述阴离子前驱体溶液包括V族前驱体、第一配位溶剂和介孔材料,所述V族前驱体包括P前驱体;
提供阳离子前驱体溶液,所述阳离子前驱体溶液包括III族前驱体,所述III族前驱体包括In前驱体;
将所述阴离子前驱体溶液和所述阳离子前驱体溶液混合,在所述介孔材料的孔道中进行量子点晶体生长;
加入脱附剂,得到所述量子点。
2.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,得到所述量子点之后,还包括步骤:
在所述量子点表面形成壳层的步骤。
3.根据权利要求2所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体溶液还包括Zn前驱体。
4.根据权利要求3所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体溶液中的阳离子前驱体为In前驱体、Ga前驱体和Zn前驱体;和/或,
所述阴离子前驱体溶液中的阴离子前驱体为P前驱体。
5.根据权利要求3或4所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述壳层为ZnS、ZnSe或ZnSSe。
6.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述第一配位溶剂选自油酸、链长C1~C20饱和脂肪酸、C6~C22烷基取代的膦、C6~C22烷基取代的膦氧化物、C6~C22伯胺、C1~C22仲胺和C3~C40叔胺中的一种或多种;和/或,所述P前驱体选自三(三甲硅烷基)磷、三(二甲胺基)磷、三(二乙胺基)磷、二苯基膦、二乙氨基磷、P4和PH3中的一种或多种。
7.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述介孔材料选自二氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化钙、氟化钙和金属有机骨架中的一种或多种。
8.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述介孔材料的孔径大小为2~5 nm。
9.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,在温度250~310℃条件下,在所述介孔材料的孔道中进行量子点晶体生长。
10.根据权利要求1所述的量子点的制备方法,其特征在于,所述脱附剂选自无水乙醇、乙酸乙酯、氯仿、丙酮和甲醇中的一种或多种。
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