[发明专利]一种基片的清洗方法和共晶键合方法在审
| 申请号： | 201811585113.7 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN111348617A | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 李盈;丁刘胜 | 申请（专利权）人： | 上海新微技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京知元同创知识产权代理事务所(普通合伙) 11535 | 代理人： | 刘元霞 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 共晶键合 | ||
【权利要求书】：
1.一种基片的清洗方法，包括：
使用四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液对基片表面形成的第一图形进行清洗，其中，所述第一图形的材料为锗(Ge)。
2.如权利要求1所述的基片的清洗方法，其中，
所述四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液为光刻胶的显影液。
3.如权利要求1或2所述的基片的清洗方法，其中，
在所述四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液中，四甲基氢氧化铵的质量百分比为2％-4％。
4.一种共晶键合方法，包括：
使用四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液对第一基片表面形成的第一图形进行清洗，其中，所述第一图形的材料为锗(Ge)；以及
将所述第一基片表面形成的所述第一图形和第二基片表面形成的第二图形对置并接触，并对所述第一基片和所述第二基片施加压力和温度，使所述第一基片和所述第二基片通过所述第一图形和所述第二图形进行共晶键合，其中，所述第二图形的材料不同于所述第一图形的材料。
5.如权利要求4所述的共晶键合方法，其中，
所述第二图形的材料为铝(Al)。
6.如权利要求4所述的共晶键合方法，其中，
所述四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液为光刻胶的显影液。
7.如权利要求4至6中任一项所述的共晶键合方法，其中，
在所述四甲基氢氧化铵(TMAH)的溶液中，四甲基氢氧化铵的质量百分比为2％-4％。
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